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龍圖騰網(wǎng)獲悉中微半導體設備(上海)股份有限公司申請的專利一種半導體結構的形成方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予，授權公告號為：CN113964030B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-09-09發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202010701999.8，技術領域涉及：H01L21/311；該發(fā)明授權一種半導體結構的形成方法是由王曉雯;王喬慈;趙軍;王兆祥設計研發(fā)完成，并于2020-07-21向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。

本一種半導體結構的形成方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種半導體結構的形成方法，包括：提供一基底，基底包括第一區(qū)和第二區(qū)，所述第一區(qū)和第二區(qū)的基底內分別具有至少一個開口，所述開口內具有涂層，其中，第一區(qū)涂層的厚度小于第二區(qū)涂層的厚度；向所述涂層的表面通入刻蝕氣體、沉積氣體和稀釋氣體，對涂層進行處理；所述稀釋氣體用于促進聚合物在第一區(qū)開口內的沉積速率大于基底表面的沉積速率，以縮小第一區(qū)涂層與第二區(qū)涂層的厚度差。利用所述方法能夠降低第一區(qū)與第二區(qū)涂層的厚度差。

本發(fā)明授權一種半導體結構的形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括： 提供一基底，所述基底包括第一區(qū)和第二區(qū)，所述第一區(qū)和第二區(qū)的基底內分別具有至少一個開口，所述開口內具有涂層，其中，第一區(qū)涂層的厚度小于第二區(qū)涂層的厚度； 向所述涂層的表面通入刻蝕氣體、沉積氣體和稀釋氣體，對涂層進行處理，其中，所述刻蝕氣體用于消耗所述涂層，所述沉積氣體用于形成聚合物沉積下來，所述的稀釋氣體用于促進聚合物在第一區(qū)開口內的沉積速率大于基底表面的沉積速率，以縮小第一區(qū)涂層與第二區(qū)涂層的厚度差； 所述第一區(qū)的開口尺寸與第二區(qū)的開口尺寸相等，所述第一區(qū)的開口個數(shù)大于等于第二區(qū)的開口個數(shù)。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或專利權人中微半導體設備(上海)股份有限公司，其通訊地址為：201201 上海市浦東新區(qū)金橋出口加工區(qū)（南區(qū)）泰華路188號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。