上海華力微電子有限公司田志獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉上海華力微電子有限公司申請的專利CMOS圖像傳感器轉移管垂直柵極深度檢測方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114076565B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010831333.4，技術領域涉及：G01B7/26；該發明授權CMOS圖像傳感器轉移管垂直柵極深度檢測方法是由田志;李娟娟;邵華;陳昊瑜設計研發完成，并于2020-08-18向國家知識產權局提交的專利申請。
本CMOS圖像傳感器轉移管垂直柵極深度檢測方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種CMOS圖像傳感器轉移管垂直柵極深度檢測方法，通過同樣版圖面積的平面型和垂直型柵極的結合，通過平面型測試得到參照CMOS圖像傳感器轉移管的平面型柵極多晶硅有效電學厚度EOT，通過垂直型測試得到待測CMOS圖像傳感器轉移管的垂直柵極結構的電容CoxVTG，然后據此計算出待測CMOS圖像傳感器轉移管垂直柵極的等效深度，有效監測垂直柵極深度，可以實現在不破壞硅片的情況下進行在線監測所有CMOS圖像傳感器的轉移管柵極深度，便于及時發現轉移管柵極深度異常，有效監測CMOS圖像傳感器的產品質量。
本發明授權CMOS圖像傳感器轉移管垂直柵極深度檢測方法在權利要求書中公布了：1.一種CMOS圖像傳感器轉移管垂直柵極深度檢測方法，待測CMOS圖像傳感器轉移管的垂直型柵極多晶硅包括一平板部及n個垂直柱體，n為正整數；所述平板部形成在第一類型摻雜外延層表面；n個垂直柱體上端接平板部，形成在第一類型摻雜外延層之中；其特征在于，檢測方法包括以下步驟： 一.檢測參照CMOS圖像傳感器轉移管的平面型柵極多晶硅有效電學厚度EOT,參照CMOS圖像傳感器轉移管的柵極多晶硅形成在第一類型摻雜外延層表面，并且與所述待測CMOS圖像傳感器轉移管的垂直型柵極多晶硅的平板部橫截面形狀相同； 檢測待測CMOS圖像傳感器轉移管的垂直柵極結構的電容CoxVTG； 二.計算得到待測CMOS圖像傳感器轉移管垂直柵極深度H， ε0為真空介電常數；εr為相對介電常數；W為平板部橫截面面積；w為垂直型柵極多晶硅的一垂直柱體的橫截面周長。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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