富泰華工業(深圳)有限公司;鴻海精密工業股份有限公司陳中怡獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉富泰華工業(深圳)有限公司;鴻海精密工業股份有限公司申請的專利半導體裝置及半導體裝置制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114843275B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110139342.1，技術領域涉及：H10B41/00；該發明授權半導體裝置及半導體裝置制造方法是由陳中怡設計研發完成，并于2021-02-01向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體裝置及半導體裝置制造方法在說明書摘要公布了：一種半導體裝置的存儲單元包括層疊結構、穿透層疊結構的收容空間、阻擋層、浮柵層及通道層。層疊結構包括至少一層控制層、至少兩層介電層以及至少一層擦除層。收容空間包括第一收容部和多個與第一收容部連通的第二收容部。第一收容部穿透層疊結構。第二收容部與控制層共面設置。阻擋層和浮柵層收容于第二收容部內，浮柵層通過阻擋層與控制層絕緣設置。擦除層用于在執行數據擦除操作時與浮柵層配合形成電子流通路徑。本發明還提供了一種半導體裝置的制造方法。
本發明授權半導體裝置及半導體裝置制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體裝置，包括多個存儲單元；每個所述存儲單元包括： 層疊結構，其包括至少一層控制層、至少兩層介電層以及至少一層擦除層；其中，所述擦除層與所述控制層之間通過所述介電層隔離； 穿透所述層疊結構的收容空間；所述收容空間包括第一收容部和多個與所述第一收容部相連通的第二收容部；所述第一收容部穿透所述層疊結構；所述第二收容部與所述控制層共面設置； 阻擋層，收容于所述第二收容部內； 浮柵層，收容于所述第二收容部內，且通過所述阻擋層與所述控制層絕緣設置； 通道層，收容于所述第一收容部內； 其中，在所述半導體裝置執行數據擦除操作時，所述擦除層上施加正向電壓，所述浮柵層浮接，所述控制層施加小于所述正向電壓的電壓，電子從所述浮柵層經過位于所述擦除層和所述浮柵層重疊部分的所述介電層以及所述阻擋層的側壁流入所述擦除層，所述擦除層與所述浮柵層配合形成電子流通路徑。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人富泰華工業(深圳)有限公司;鴻海精密工業股份有限公司，其通訊地址為：518109 廣東省深圳市龍華新區觀瀾街道大三社區富士康觀瀾科技園B區廠房4棟、6棟、7棟、13棟(Ⅰ段)；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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