晶呈科技股份有限公司劉埃森獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉晶呈科技股份有限公司申請的專利具有順磁性發光元件的芯片結構及其制造方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN114744005B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202110148459.6,技術領域涉及:H10H29/01;該發明授權具有順磁性發光元件的芯片結構及其制造方法是由劉埃森;馮祥銨;鐘承育設計研發完成,并于2021-02-03向國家知識產權局提交的專利申請。
本具有順磁性發光元件的芯片結構及其制造方法在說明書摘要公布了:本發明提供了一種具有順磁性發光元件的芯片結構及其制造方法,該制造方法包括在一第一基板上形成磊晶層、執行一第一蝕刻制程,并在設置一絕緣層、復數個焊墊及暫時基板后移除所述第一基板,之后,在該磊晶層頂部表面上接合一磁性金屬結構,并去除所述的暫時基板,接續執行一第二蝕刻制程與切割制程,以形成具有順磁性發光元件的一芯片結構。通過本發明所公開的芯片結構及其制造方法,改良原有基材的軟磁性,具有較佳的初始磁導率,并具有晶粒自動翻轉及對位的功效,不僅可有效改良公知覆晶接合的流程,還可符合產業進行快速的巨量移轉技術。
本發明授權具有順磁性發光元件的芯片結構及其制造方法在權利要求書中公布了:1.一種具有順磁性發光元件的芯片結構的制造方法,適于覆晶接合于一電路板,并且通過覆晶接合制程,使所形成的芯片結構自動翻轉對位并接合于該電路板,以提供外部信號的電性導通,其特征在于,該制造方法包括: 提供一第一基板,并在該第一基板上形成一磊晶層; 執行一第一蝕刻制程,以在該磊晶層中形成至少二空腔; 提供一絕緣層,設置于該磊晶層之上并填充該些空腔; 貫穿該絕緣層設置有至少一第一焊墊與二第二焊墊,每一該第二焊墊設置于一該空腔內; 在該絕緣層上設置一暫時基板,并移除該第一基板,使該第一焊墊與該些第二焊墊夾置于該磊晶層、該絕緣層與該暫時基板之間; 在該磊晶層頂部表面上接合一磁性金屬結構,去除該暫時基板,該磁性金屬結構具有一初始磁導率; 根據該絕緣層與該磊晶層執行一第二蝕刻制程,該第二蝕刻制程終止于該磁性金屬結構的頂表面;以及 由該磁性金屬結構的該頂表面開始,接續執行一切割制程,以完成切割該磁性金屬結構,形成一具有順磁性發光元件的芯片結構。
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