買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標(biāo)用IPTOP,全免費(fèi)！專利年費(fèi)監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)獲悉桑迪士克科技有限責(zé)任公司申請(qǐng)的專利具有介電壁支撐結(jié)構(gòu)的三維存儲(chǔ)器器件及其形成方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114730765B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-09發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202180006701.4，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10B41/27；該發(fā)明授權(quán)具有介電壁支撐結(jié)構(gòu)的三維存儲(chǔ)器器件及其形成方法是由久保智裕設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-06-01向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本具有介電壁支撐結(jié)構(gòu)的三維存儲(chǔ)器器件及其形成方法在說(shuō)明書摘要公布了：一種三維存儲(chǔ)器器件包括位于線溝槽之間的絕緣層和導(dǎo)電層的交替堆疊、第一存儲(chǔ)器陣列區(qū)域和第二存儲(chǔ)器陣列區(qū)域，以及位于所述第一線溝槽和所述第二線溝槽之間以及所述存儲(chǔ)器陣列區(qū)域之間的一對(duì)介電壁結(jié)構(gòu)。所述交替堆疊內(nèi)的每個(gè)層在連接區(qū)域中的所述第一存儲(chǔ)器陣列區(qū)域和所述第二存儲(chǔ)器陣列區(qū)域之間連續(xù)延伸。所述交替堆疊的所述導(dǎo)電層在階梯區(qū)域中具有隨著距所述襯底的距離而減小的橫向范圍。在所述介電壁結(jié)構(gòu)之間提供與絕緣板或絕緣層交錯(cuò)的介電材料板。

本發(fā)明授權(quán)具有介電壁支撐結(jié)構(gòu)的三維存儲(chǔ)器器件及其形成方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種三維存儲(chǔ)器器件，其特征在于，所述三維存儲(chǔ)器器件包括： 絕緣層和導(dǎo)電層的交替堆疊，所述交替堆疊位于第一線溝槽和第二線溝槽之間，所述第一線溝槽和所述第二線溝槽沿第一水平方向并在襯底上方橫向延伸； 第一存儲(chǔ)器陣列區(qū)域和第二存儲(chǔ)器陣列區(qū)域，所述第一存儲(chǔ)器陣列區(qū)域和所述第二存儲(chǔ)器陣列區(qū)域沿所述第一水平方向橫向間隔開(kāi)并且包括所述交替堆疊的每個(gè)層，其中各自包括豎直半導(dǎo)體溝道和存儲(chǔ)器膜的相應(yīng)一組存儲(chǔ)器堆疊結(jié)構(gòu)豎直延伸穿過(guò)所述第一存儲(chǔ)器陣列區(qū)域和所述第二存儲(chǔ)器陣列區(qū)域中的每一者內(nèi)的所述交替堆疊； 第一介電壁結(jié)構(gòu)和第二介電壁結(jié)構(gòu)，所述第一介電壁結(jié)構(gòu)和所述第二介電壁結(jié)構(gòu)位于所述第一線溝槽和所述第二線溝槽之間并且位于所述第一存儲(chǔ)器陣列區(qū)域和所述第二存儲(chǔ)器陣列區(qū)域之間，沿所述第一水平方向橫向延伸，并且在所述第一水平方向上具有比所述第一線溝槽沿所述第一水平方向的橫向范圍小且比所述第二線溝槽沿所述第一水平方向的橫向范圍小的橫向范圍，其中連接區(qū)域位于所述第一線溝槽和所述第一介電壁結(jié)構(gòu)之間，并且階梯區(qū)域位于所述第二線溝槽和所述第二介電壁結(jié)構(gòu)之間，并且所述交替堆疊的所述導(dǎo)電層具有沿所述第一水平方向隨著距所述襯底的豎直距離的增加而在豎直方向上減小的橫向范圍；和 介電材料板和絕緣板或?qū)拥慕惶娑询B，所述交替堆疊位于所述第一介電壁結(jié)構(gòu)和所述第二介電壁結(jié)構(gòu)之間，其中所述介電材料板具有隨著距所述襯底的所述豎直距離的增加而在豎直方向上減小的水平剖面面積；并且 其中所述三維存儲(chǔ)器器件進(jìn)一步包括： 較低層級(jí)介電材料層，所述較低層級(jí)介電材料層位于所述襯底以及所述交替堆疊和所述介電材料板的組合之間并嵌入較低層級(jí)金屬互連結(jié)構(gòu)； 較高層級(jí)介電材料層，所述較高層級(jí)介電材料層位于所述交替堆疊和所述介電材料板的所述組合上方并嵌入較高層級(jí)金屬互連結(jié)構(gòu)； 連接通孔結(jié)構(gòu)，所述連接通孔結(jié)構(gòu)豎直延伸穿過(guò)所述介電材料板并接觸所述較低層級(jí)金屬互連結(jié)構(gòu)中的相應(yīng)一者和所述較高層級(jí)金屬互連結(jié)構(gòu)中的相應(yīng)一者；和 層接觸通孔結(jié)構(gòu)，所述層接觸通孔結(jié)構(gòu)在所述階梯區(qū)域的區(qū)域內(nèi)接觸所述導(dǎo)電層中的相應(yīng)一者的頂表面；并且 其中所述三維存儲(chǔ)器器件進(jìn)一步包括： 附加絕緣層和附加導(dǎo)電層的附加交替堆疊，所述附加交替堆疊位于所述第一線溝槽和所述第二線溝槽之間并且位于所述交替堆疊上方或下方；和 附加介電材料板，所述附加介電材料板嵌入在所述附加交替堆疊內(nèi)，其中所述連接通孔結(jié)構(gòu)豎直延伸穿過(guò)所述附加介電材料板中的每一者。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人桑迪士克科技有限責(zé)任公司，其通訊地址為：美國(guó)德克薩斯州；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。