中微半導體設備(上海)股份有限公司吳昊獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中微半導體設備(上海)股份有限公司申請的專利一種等離子體處理裝置及其調節方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115565842B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110750316.2，技術領域涉及：H01J37/32；該發明授權一種等離子體處理裝置及其調節方法是由吳昊;吳磊設計研發完成，并于2021-07-02向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種等離子體處理裝置及其調節方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種等離子體處理裝置，包含：真空反應腔，所述真空反應腔內具有下電極組件；射頻電源，用于向下電極組件提供射頻功率；射頻傳輸體，所述射頻電源通過所述射頻傳輸體向下電極組件提供射頻功率；電接地的屏蔽套筒，其環繞設置于所述射頻傳輸體的外周，所述射頻傳輸體和所述屏蔽套筒之間包含至少兩個介質層，各個介質層之間可相對發生位移，所述位移用于改變各介質層之間的正對面積。其優點是：該裝置通過改變各介質層之間的正對面積，進而調整該處的等效電容，實現對于倍頻高次諧波阻抗的調節，以影響真空反應腔內等離子體的空間分布，更精準地控制刻蝕速率分布。
本發明授權一種等離子體處理裝置及其調節方法在權利要求書中公布了：1.一種等離子體處理裝置，其特征在于，包含： 真空反應腔，所述真空反應腔內具有下電極組件； 射頻電源，用于向下電極組件提供射頻功率； 射頻傳輸體，所述射頻電源通過所述射頻傳輸體向下電極組件提供射頻功率； 電接地的屏蔽套筒，其環繞設置于所述射頻傳輸體的外周，所述射頻傳輸體和所述屏蔽套筒之間包含至少兩個介質層，各個介質層之間可相對發生位移，所述位移用于改變各介質層之間的正對面積。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中微半導體設備(上海)股份有限公司，其通訊地址為：201201 上海市浦東新區金橋出口加工區（南區）泰華路188號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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