中微半導體設備(上海)股份有限公司龐云玲獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中微半導體設備(上海)股份有限公司申請的專利加熱裝置、CVD設備及半導體工藝處理的方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN115772660B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202111039519.7,技術領域涉及:C23C16/46;該發明授權加熱裝置、CVD設備及半導體工藝處理的方法是由龐云玲;姜勇設計研發完成,并于2021-09-06向國家知識產權局提交的專利申請。
本加熱裝置、CVD設備及半導體工藝處理的方法在說明書摘要公布了:本發明提供一種加熱裝置,用于CVD設備,包含:布置在反應室上方的上燈模塊和或反應室下方的下燈模塊;所述上燈模塊、下燈模塊包含由多個加熱燈形成的上燈陣列、下燈陣列;通過所述上燈陣列、下燈陣列加熱所述基片承載臺以及基片;所述加熱燈包括一管狀燈體和位于管狀燈體兩端的電極端,所述上燈模塊、下燈模塊中的電極端分別朝上、下進行電連接;所述管狀燈體內設有沿管狀燈體延伸的燈絲;所述上燈陣列、下燈陣列可以分區控制加熱功率本發明還包含一種CVD設備及一種半導體工藝處理的方法。本發明能夠提高加熱裝置的熱能利用率,且能夠精準控制各加熱燈的加熱功率,防止相鄰加熱燈之間出現冷點,有效保證基片表面均溫。
本發明授權加熱裝置、CVD設備及半導體工藝處理的方法在權利要求書中公布了:1.一種加熱裝置,用于CVD設備,所述CVD設備的反應室內包含用于承載基片的基片承載臺,其特征在于,所述加熱裝置包含:布置在反應室上方的上燈模塊和或反應室下方的下燈模塊; 所述上燈模塊、下燈模塊包含由多個加熱燈形成的上燈陣列、下燈陣列;通過所述上燈陣列、下燈陣列加熱所述基片承載臺以及基片; 所述加熱燈包括一管狀燈體、兩個封閉端和位于管狀燈體兩端的電極端,所述上燈模塊、下燈模塊中的管狀燈體的兩端分別朝上、朝下彎曲,所述上燈模塊、下燈模塊中的電極端分別朝上、下進行電連接;所述管狀燈體內設有沿管狀燈體延伸的燈絲;所述上燈陣列、下燈陣列可以分區控制加熱功率; 兩個所述封閉端分別用于封堵所述管狀燈體的兩端,兩個所述電極分別設置在兩個所述封閉端上; 所述管狀燈體包含兩個豎直加熱段,以及在所述兩個豎直加熱段之間的水平加熱段;水平加熱段的長度方向為加熱燈的長度方向;通過相鄰的豎直加熱段補償相鄰加熱燈之間的冷點。
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