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龍圖騰網(wǎng)獲悉上海華嶺集成電路技術(shù)股份有限公司申請的專利電容測量裝置及電容測量方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114879009B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-09發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202210485515.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G01R31/28；該發(fā)明授權(quán)電容測量裝置及電容測量方法是由余琨;王華設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-05-06向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本電容測量裝置及電容測量方法在說明書摘要公布了：一種電容測量裝置及電容測量方法，配置為批量測試芯片的電容參數(shù)，所述電容測量裝置包括：測量電路板，包括：測試工位，配置為安裝所述待測芯片；以及參考電容，所述參考電容的第一端與安裝在所述測試工位的待測芯片的第一管腳電連接于第一節(jié)點(diǎn)，所述參考電容的第二端配置為接收第一測量信號，所述安裝在所述測試工位的待測芯片的第二管腳配置為接收第二測量信號，以及自動測試機(jī)，與所述測量電路板電連接，配置為提供所述第一測量信號和所述第二測量信號，并基于第一節(jié)點(diǎn)處的信號確定所述待測芯片的電容參數(shù)，其中，所述第一測量信號和第二測量信號均為正弦信號或余弦信號，其第一測量信號與所述第二測量信號的相位差為2n+1π,其中n為整數(shù)。

本發(fā)明授權(quán)電容測量裝置及電容測量方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種電容測量裝置，配置為批量測試芯片的電容參數(shù)，其特征在于，所述電容測量裝置包括： 測量電路板，包括： 測試工位，配置為安裝待測芯片；以及 參考電容，所述參考電容的第一端與安裝在所述測試工位的待測芯片的第一管腳電連接于第一節(jié)點(diǎn)，所述參考電容的第二端配置為接收第一測量信號，所述安裝在所述測試工位的待測芯片的第二管腳配置為接收第二測量信號，以及 自動測試機(jī)，與所述測量電路板電連接，配置為提供所述第一測量信號和所述第二測量信號，并基于第一節(jié)點(diǎn)處的信號確定所述待測芯片的電容參數(shù)， 其中，所述第一測量信號和第二測量信號均為正弦信號或余弦信號，其第一測量信號與所述第二測量信號的相位差為2n+1π,其中n為整數(shù)，所述第一測量信號和第二測量信號中的至少一個的幅度是可調(diào)的。

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