買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)獲悉西安電子科技大學申請的專利交錯調(diào)制型雙向阻斷器件及其制作方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114883324B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-09發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202210599885.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D84/40；該發(fā)明授權(quán)交錯調(diào)制型雙向阻斷器件及其制作方法是由毛維;裴晨;楊翠;彭國良;杜鳴;馬佩軍;鄭雪峰;張進成;郝躍設(shè)計研發(fā)完成，并于2022-05-25向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本交錯調(diào)制型雙向阻斷器件及其制作方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種交錯調(diào)制型雙向阻斷器件，主要解決現(xiàn)有器件只能單向阻斷及開啟電壓高的問題。其自下而上包括：襯底、過渡層、勢壘層和鈍化層，鈍化層左側(cè)設(shè)有源極；勢壘層和鈍化層的右側(cè)設(shè)有凹槽陽極；鈍化層和凹槽陽極的上表面設(shè)有互連金屬；互連金屬下方設(shè)有N個左陣列塊與M個右陣列塊，這些陣列塊的下部均位于過渡層內(nèi)；源極與左陣列塊之間的鈍化層內(nèi)部設(shè)有窗口，其內(nèi)依次設(shè)有P型塊和i?GaN塊和柵極，該柵極、源極、陣列塊及凹槽陽極構(gòu)成HEMT結(jié)構(gòu)，并與由陣列塊、凹槽陽極及與其接觸的半導體材料所構(gòu)成的二極管復合，形成雙向阻斷器件。本發(fā)明能降低開啟電壓，實現(xiàn)雙向阻斷并提升閾值電壓，可用于電力電子系統(tǒng)。

本發(fā)明授權(quán)交錯調(diào)制型雙向阻斷器件及其制作方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種交錯調(diào)制型雙向阻斷器件，自下而上包括：襯底1、過渡層2、勢壘層3和鈍化層4，其特征在于： 所述勢壘層3上部的鈍化層4的左側(cè)設(shè)置有源極槽5，該源極槽內(nèi)部設(shè)置有源極6； 所述勢壘層3和鈍化層4的右側(cè)設(shè)置有凹槽陽極12，該凹槽陽極的底部位于過渡層2中； 所述凹槽陽極12和鈍化層4的上表面設(shè)有互連金屬13； 所述互連金屬13左部的下方設(shè)有N個左陣列塊10，互連金屬13中部的下方設(shè)有M個右陣列塊11，左陣列塊10和右陣列塊11的下部位于過渡層2中； 所述源極6與左陣列塊10之間的鈍化層4內(nèi)部設(shè)有窗口14，其內(nèi)部自下而上依次設(shè)有P型塊15、i-GaN塊16、柵極17； 所述源極6、柵極17與右側(cè)的陣列塊及凹槽陽極12構(gòu)成HEMT結(jié)構(gòu)，陣列塊、凹槽陽極12與其接觸的勢壘層3和鈍化層4之間形成二極管結(jié)構(gòu)，HEMT與二極管復合形成雙向阻斷器件。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人西安電子科技大學，其通訊地址為：710071 陜西省西安市太白南路2號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。