青島元動芯能源科技有限公司請求不公布姓名獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉青島元動芯能源科技有限公司申請的專利一種基于氚源的條狀PIN結型β輻射伏特效應同位素電池獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115050503B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210824588.7，技術領域涉及：G21H1/06；該發明授權一種基于氚源的條狀PIN結型β輻射伏特效應同位素電池是由請求不公布姓名設計研發完成，并于2022-07-13向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種基于氚源的條狀PIN結型β輻射伏特效應同位素電池在說明書摘要公布了：本發明提供一種基于氚源的條狀PIN結型β輻射伏特效應同位素電池，涉及同位素電池技術領域，兩個單元模塊的半導體對置，通過陰極金屬電極進行連接和支撐，半導體本征層及P+層為條狀，在側面間隙處鍍有氚基放射源。本發明中氚基放射源的產生額β粒子入射到半導體內后絕大部分將落入耗盡層中，產生的電子空穴對可大概率被收集，可避免傳統方案中氚基放射源由于穿透深度低而落在P+層導致收集效率低的問題，此外，氚基放射源雙面發射的電子均可被半導體捕獲，可以實現基于氚源的高效輻射伏特效應同位素電池。
本發明授權一種基于氚源的條狀PIN結型β輻射伏特效應同位素電池在權利要求書中公布了：1.一種基于氚源的條狀PIN結型β輻射伏特效應同位素電池，其特征在于： 包括半導體單元模塊，所述半導體單元模塊由半導體本征層（1）、重摻雜的半導體P+層（2）和重摻雜的半導體薄膜N+層（3）構成，所述半導體單元模塊的頂部和底部分別設有陽極金屬電極（7）、陰極金屬電極（6），兩個所述半導體單元模塊共用一個陰極金屬電極（6），并以陰極金屬電極（6）為中心相對設置； 所述半導體P+層（2）加載在半導體本征層（1）的頂部，所述半導體薄膜N+層（3）位于半導體本征層（1）的底部； 所述陽極金屬電極（7）鍍在半導體P+層（2）的頂部，所述半導體本征層（1）的側面鍍有氚基放射源（5），所述半導體本征層（1）與氚基放射源（5）之間設有鈍化層（4）； 其中，所述半導體本征層（1）為條狀，寬度為≤20μm，相鄰半導體本征層（1）之間的間隔寬度≤20μm，且所述氚基放射源（5）位于所述間隔內，使得β粒子從兩側直接入射至半導體本征層（1）的耗盡區。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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