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龍圖騰網獲悉湖北大學;湖北江城實驗室申請的專利一種基于鋰鎳氧化物材料的選通管及其制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115411181B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210965999.8，技術領域涉及：H10N70/20；該發明授權一種基于鋰鎳氧化物材料的選通管及其制作方法是由董文靜;袁幼紅;余章宏;夏晨;胡高;王浚英;汪寶元設計研發完成，并于2022-08-12向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種基于鋰鎳氧化物材料的選通管及其制作方法在說明書摘要公布了：本發明提供了一種基于鋰鎳氧化物材料的選通管及其制作方法，該選通管包括底層電極；中間層材料，位于所屬底電極一側表面；頂層電極，位于所述選通管材料層遠離所述底層電極一側表面。其中，所述底層電極的材料為泡沫鎳Niform、泡沫銅、金屬鎳片、金屬銅片、金屬鎳薄膜和金屬銅薄膜的一種；所述中間層材料為鋰鎳氧化物LixNiO2?δ0＜x≤1；所述頂層電極為金屬鉑、金屬金的一種。本發明的一種基于鋰鎳氧化物材料的選通管，具有Forming?free的特性，不需要Forming過程就可以直接表現出雙向閾值轉變的性能，且有穩定的閾值電壓和保持電壓，將其作為整流器件,可有效抑制RRAM存儲器陣列中的串擾電流。本發明選通管具有結構簡單、工藝簡單、價格低廉等的特點。

本發明授權一種基于鋰鎳氧化物材料的選通管及其制作方法在權利要求書中公布了：1.一種基于鋰鎳氧化物材料的選通管，包括依次緊密接觸的底層電極（1），中間層材料（2），頂層電極（3），其特征在于： 所述的底層電極（1）的材料為泡沫鎳、泡沫銅、金屬鎳片、金屬銅片、金屬鎳薄膜和金屬銅薄膜的一種； 所述的中間層材料（2）為鋰鎳氧化物LixNiO2-δ，其中，0.5≤x≤1； 所述的頂層電極（3）的材料為金屬鉑、金屬金的一種； 所述選通管是具有雙向閾值開關特性的選通管； 其中，所述選通管的制備方法包括以下步驟： （a）將底層電極清洗干凈并干燥； （b）在上述獲得的底層電極上用漿料涂覆法、或薄膜沉積法制備一層0.2μm～500μm厚的材質為LixNiO2-δ中間層；同時在底層電極上需預留出一部分底層電極；涂覆或沉積過程中根據需要控制好中間層材料的厚度； （c）將步驟（b）得到的器件在100℃～120℃經20min-60min烘干后，使用壓片機壓制成陶瓷片，LixNiO2-δ中間層的壓制厚度控制在0.1μm～200μm范圍內； （d）在上述器件上制備頂層電極，得到基于鋰鎳氧化物材料的選通管。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人湖北大學;湖北江城實驗室，其通訊地址為：430062 湖北省武漢市武昌區友誼大道368號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。