武漢鑭芯光電技術(shù)有限公司楊思美獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉武漢鑭芯光電技術(shù)有限公司申請的專利一種兼容G652D標(biāo)準(zhǔn)的大模場G657A2光纖獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN115542455B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-09發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:202211182397.1,技術(shù)領(lǐng)域涉及:G02B6/036;該發(fā)明授權(quán)一種兼容G652D標(biāo)準(zhǔn)的大模場G657A2光纖是由楊思美;羅小暉;毛秀;李小濤;李濤設(shè)計研發(fā)完成,并于2022-09-27向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本一種兼容G652D標(biāo)準(zhǔn)的大模場G657A2光纖在說明書摘要公布了:本發(fā)明公開了一種兼容G.652D標(biāo)準(zhǔn)的G.657A2光纖,其玻璃部分由內(nèi)而外依次包括:折射率分布為階躍型的芯層、第一包層、以及第二包層;其中第一包層鄰接并包圍芯層,所述第二包層鄰接并包圍第一包層;所述芯層的折射率均勻,其折射率N0在1.4610~1.4641之間;所述第一包層的折射率N1在1.4550~1.4570之間變化;所述第二包層與第一包層之間鄰接處的折射率差大于0.0021。本發(fā)明提供兼容G652D標(biāo)準(zhǔn)的大模場G657A2光纖,其第一包層采用了折射率周向變化結(jié)構(gòu),增加了光纖的模場直徑,使得G.657A2光纖也能達(dá)到G.652D光纖的模場直徑參數(shù)水平,在不犧牲宏彎性能的前提下增大了模場直徑。
本發(fā)明授權(quán)一種兼容G652D標(biāo)準(zhǔn)的大模場G657A2光纖在權(quán)利要求書中公布了:1.一種兼容G.652D標(biāo)準(zhǔn)的G.657A2光纖,其特征在于,其玻璃部分由內(nèi)而外依次包括:折射率分布為階躍型的芯層、第一包層、以及第二包層;其中第一包層鄰接并包圍芯層,所述第二包層鄰接并包圍第一包層; 所述芯層的折射率均勻,其折射率N0在1.4610~1.4641之間;所述第一包層的折射率N1在1.4550~1.4570之間變化;所述第二包層與第一包層之間鄰接處的折射率差大于0.0021; 以光纖橫截面為平面,以該截面的芯層中心為極點建立極坐標(biāo)系,極角為θ,極徑為ρ,ρ=D02為第一包層與芯層的鄰接界線,其中D0為芯層直徑; 在鄰接界線ρ=D02上,所述第一包層的折射率沿圓周方向變化,即:N1=Fθ; 且N1在鄰接界線ρ=D02上極大值與極小值之差不大于0.0020。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人武漢鑭芯光電技術(shù)有限公司,其通訊地址為:430074 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)關(guān)山大道111號武漢光谷國際商務(wù)中心B棟9層04室(自貿(mào)區(qū)武漢片區(qū));或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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