新余賽維鑄晶技術有限公司羅鴻志獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉新余賽維鑄晶技術有限公司申請的專利硅塊端面的位錯比例值的評估方法、去除方法、裝置和介質獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN116046731B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202211401464.4,技術領域涉及:G01N21/63;該發明授權硅塊端面的位錯比例值的評估方法、去除方法、裝置和介質是由羅鴻志;何亮;李建敏;徐云飛;張細根;周成;毛偉;王文平;甘勝泉設計研發完成,并于2022-11-09向國家知識產權局提交的專利申請。
本硅塊端面的位錯比例值的評估方法、去除方法、裝置和介質在說明書摘要公布了:本發明公開一種硅塊端面的位錯比例值的評估方法、去除方法、評估裝置和存儲介質,其中,評估方法包括測量硅塊端面的光致發光圖片;判斷并獲取第一位錯區域,第一位錯區域為光致發光圖片中灰度值小于灰度值閾值的區域;判斷并獲取第一位錯區域的誤判位錯區域;其中,誤判位錯區域包括線痕誤判位錯區域和或偏暗區域誤判位錯區域;計算第一位錯區域的面積與誤判位錯區域的面積的差值;計算差值與硅塊的端面面積的百分比,得到硅塊端面的位錯比例值。本發明中通過剔除了線痕和偏暗區域造成的位錯誤判現象,有效提高了位錯比例評估的準確性,避免了因位錯誤判導致鑄錠單晶硅塊去除損失,保障了鑄錠單晶產品良率。
本發明授權硅塊端面的位錯比例值的評估方法、去除方法、裝置和介質在權利要求書中公布了:1.一種硅塊端面的位錯比例值的評估方法,其特征在于,適用于鑄造單晶硅塊,所述方法包括: 測量硅塊端面的光致發光圖片; 判斷并獲取第一位錯區域,所述第一位錯區域為所述光致發光圖片中灰度值小于灰度值閾值的區域; 判斷并獲取所述第一位錯區域的誤判位錯區域;其中,所述誤判位錯區域為線痕誤判位錯區域和或偏暗誤判位錯區域; 計算所述第一位錯區域的面積與所述誤判位錯區域的面積的差值; 計算所述差值與所述硅塊的端面面積的百分比,得到所述硅塊端面的位錯比例值; 其中,所述線痕誤判位錯區域的判斷方法為: 測量所述第一位錯區域中直線或劣弧曲線的長度; 當處于所述第一位錯區域的直線或劣弧曲線的長度大于第一預設長度時,判斷所述第一位錯區域為誤判位錯區域; 所述偏暗誤判位錯區域的判斷方法為: 測量所述第一位錯區域中的塊狀區域,所述塊狀區域是由多條直線或曲線形成的灰度值小于灰度閾值的區域,所述塊狀區域的面積大于等于1cm2;其中,當所述塊狀區域中無閉環狀結構圖形時,判斷所述第一位錯區域為誤判位錯區域;所述閉環狀結構圖形為單條或多條直線或曲線形成的環形外圈以及被所述環形外圈包圍的中心區域,所述環形外圈的灰度值分布在灰度值閾值范圍內,所述中心區域的灰度值大于灰度值閾值。
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