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龍圖騰網獲悉上海交通大學申請的專利雙層光芯片及光芯片與光纖耦合的耦合接口結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115793137B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211426560.4，技術領域涉及：G02B6/12；該發明授權雙層光芯片及光芯片與光纖耦合的耦合接口結構是由杜江兵;王兆年;何祖源設計研發完成，并于2022-11-15向國家知識產權局提交的專利申請。

本雙層光芯片及光芯片與光纖耦合的耦合接口結構在說明書摘要公布了：本發明提供了一種雙層光芯片及光芯片與光纖耦合的耦合接口結構，所述雙層光芯片，所述雙層光芯片為層狀結構，雙層光芯包括依次由下至上設置的第一襯底層、第二襯底層、下層波導、第一隔離層、上層波導、第二隔離層以及片上熱源；所述第一襯底層用于支撐整個光芯片的結構強度以及隔絕外部光信號；第二襯底層向下層波導提供依托，同時避免上層波導與下層波導中的光場泄露進入第一襯底層；片上熱源用于向上層波導與下層波導施加熱效應。本發明能夠實現耦合光場在上下光波導層之間按需切換的效果，從而提高3D集成光芯片整體的工作性，并且能夠在實現耦合光場在上下光波導層之間按需切換效果的同時，能夠達到提升光芯片耦合效率的目的。

本發明授權雙層光芯片及光芯片與光纖耦合的耦合接口結構在權利要求書中公布了：1.一種雙層光芯片，其特征在于，所述雙層光芯片為層狀結構，雙層光芯包括依次由下至上設置的第一襯底層101、第二襯底層102、下層波導103、第一隔離層104、上層波導105、第二隔離層106以及片上熱源； 所述第一襯底層101用于支撐整個光芯片的結構強度以及隔絕外部光信號； 第二襯底層102向下層波導103提供依托，同時避免上層波導105與下層波導103中的光場泄露進入第一襯底層101； 第一隔離層104用于將下層波導103與上層波導105隔開；第二隔離層106用于將上層波導105與片上熱源隔開； 片上熱源用于向上層波導105與下層波導103施加熱效應； 片上熱源包括熱源層107、熱電極1071以及電走線1072；熱電極1071與電走線1072均安裝在所述熱源層107上； 所述熱電極1071用于控制熱源層107，通過施加電壓的變化使得熱源層107的溫度發生變化； 所述上層波導105具有第一脊型波導結構。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人上海交通大學，其通訊地址為：200240 上海市閔行區東川路800號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。