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龍圖騰網(wǎng)獲悉山東科技大學(xué)申請的專利一種基于多功能聚合物修飾SnO₂的全無機(jī)CsPbBr₃鈣鈦礦太陽能電池及其應(yīng)用獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115843186B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-09發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202211525903.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10K30/15；該發(fā)明授權(quán)一種基于多功能聚合物修飾SnO₂的全無機(jī)CsPbBr₃鈣鈦礦太陽能電池及其應(yīng)用是由趙媛媛;高磊;王秋瑞;李云坤;唐群委設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-12-01向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種基于多功能聚合物修飾SnO₂的全無機(jī)CsPbBr₃鈣鈦礦太陽能電池及其應(yīng)用在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供了一種基于多功能聚合物修飾SnO2的全無機(jī)CsPbBr3鈣鈦礦太陽能電池及其應(yīng)用，用聚丙烯酸修飾SnO2量子點(diǎn)溶液后旋涂在FTO上制備電子傳輸層，PAA層涂覆在電子傳輸層上作為預(yù)埋底界面，通過多步旋涂法在PAA層上形成CsPbBr3層，在CsPbBr3層表面涂覆碳電極，制得太陽能電池。本發(fā)明通過用PAA阻礙SnO2量子點(diǎn)在溶液中的團(tuán)聚現(xiàn)象，得到高質(zhì)量的電子傳輸層。PAA層可鈍化電子傳輸層表面未配位的Sn4+以及CsPbBr3層中未配位的Pb2+，達(dá)到原位補(bǔ)償熱應(yīng)變的目的。本發(fā)明的太陽能電池效率高，穩(wěn)定性好，對促進(jìn)鈣鈦礦太陽能電池產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程具有實(shí)用價(jià)值和經(jīng)濟(jì)價(jià)值。

本發(fā)明授權(quán)一種基于多功能聚合物修飾SnO₂的全無機(jī)CsPbBr₃鈣鈦礦太陽能電池及其應(yīng)用在權(quán)利要求書中公布了：1.一種基于多功能聚合物修飾SnO2的全無機(jī)CsPbBr3鈣鈦礦太陽能電池，其特征在于，通過以下制備方法制得： 1將SnCl2和硫脲溶解在去離子水中，攪拌，離心，除沉淀，過濾得SnO2量子點(diǎn)溶液； 2將步驟1中所述SnO2量子點(diǎn)溶液預(yù)熱；將聚丙烯酸粉末加入到預(yù)熱后的SnO2量子點(diǎn)溶液中，攪拌，得到PAA修飾的SnO2量子點(diǎn)溶液，即PAA-SnO2量子點(diǎn)溶液； 3將步驟2中所述PAA-SnO2量子點(diǎn)溶液和FTO導(dǎo)電玻璃預(yù)熱；將預(yù)熱后的PAA-SnO2量子點(diǎn)溶液旋涂在預(yù)熱后的FTO導(dǎo)電玻璃上得到FTOPAA-SnO2基底； 4將PAA水溶液旋涂在步驟3中所述的FTOPAA-SnO2基底上，得到經(jīng)過單層PAA修飾的PAA-SnO2電子傳輸層，即得到FTOPAA-SnO2PAA基底； 5將步驟4中所述的FTOPAA-SnO2PAA基底和PbBr2溶液預(yù)熱，將預(yù)熱后的PbBr2溶液旋涂在FTOPAA-SnO2PAA基底上，退火，得PbBr2薄膜； 6在步驟5中所述的PbBr2薄膜上旋涂CsBr溶液，制得PAA修飾的CsPbBr3層； 7在步驟6中所述的CsPbBr3層上涂覆碳漿，退火，制得碳電極，得到全無機(jī)CsPbBr3鈣鈦礦太陽能電池。

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