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龍圖騰網(wǎng)獲悉安徽光智科技有限公司申請(qǐng)的專利線陣CZT探測(cè)器的制備方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN115799378B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-09發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202211613059.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10F30/29；該發(fā)明授權(quán)線陣CZT探測(cè)器的制備方法是由游曼輝;張偉;曹紅設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-12-15向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本線陣CZT探測(cè)器的制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供線陣CZT探測(cè)器的制備方法，包括：將晶體沿﹤111﹥晶向切割成矩形晶片，經(jīng)表面處理去除表面損傷層，在晶片{111}Te面制備電極圖案，并在電極圖案之間設(shè)劃片道區(qū)域，經(jīng)光刻后鍍金；剝離光刻膠上的金膜，在{111}Te面、{111}Cd面涂光刻膠，沿劃片道區(qū)域?qū)⒕懈畛啥鄠€(gè)，并去除光刻膠；將多個(gè)晶片置于PVD托盤治具的凹槽中，對(duì){111}Cd面鍍金；將鍍好金的晶片的{111}Te面及{111}Cd面涂正膠保護(hù)，對(duì)4個(gè)側(cè)面拋光，后去除光刻膠即完成制備。該方法能解決崩邊、以及涂膠不均導(dǎo)致的電極圖形缺失問題，可以一次制備多個(gè)線陣探測(cè)器，生產(chǎn)效率高、加工成本低，操作簡(jiǎn)單，可控性強(qiáng)。

本發(fā)明授權(quán)線陣CZT探測(cè)器的制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.線陣CZT探測(cè)器的制備方法，其特征在于，包括： S1、將CZT晶體沿﹤111﹥晶向切割成矩形的晶片； S2、將晶片進(jìn)行拋光，然后采用溴甲醇溶液進(jìn)行處理； S3、在處理后的晶片的{111}Te面涂覆負(fù)膠，進(jìn)行后續(xù)光刻工藝制備出多個(gè)電極圖案，且光刻處理后相鄰電極圖案之間留有覆蓋有負(fù)膠的劃片道區(qū)域，然后在{111}Te面鍍金； S4、采用去膠液處理鍍金后的晶片，剝離掉光刻膠上的金膜； S5、在晶片的{111}Te面及{111}Cd面涂光刻膠做保護(hù)層，沿劃片道區(qū)域?qū)⒕懈畛啥鄠€(gè)，然后去除{111}Te面及{111}Cd面的光刻膠； S6、將多個(gè)晶片放置于PVD托盤治具的凹槽中，對(duì){111}Cd面鍍金； S7、將完成鍍金的晶片的{111}Te面及{111}Cd面涂正膠保護(hù)，然后拋光去除側(cè)面少量因未保護(hù)到位所鍍的金層，去除{111}Te面及{111}Cd面的光刻膠，即完成線陣CZT探測(cè)器的制備。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人安徽光智科技有限公司，其通訊地址為：239064 安徽省滁州市瑯琊經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)南京路100號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。