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龍圖騰網(wǎng)獲悉中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所申請的專利一種單晶β-氧化鎵納米片的制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN116024545B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-09發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202310063870.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：C23C16/06；該發(fā)明授權(quán)一種單晶β-氧化鎵納米片的制備方法是由康黎星;劉帥;張蓉;李清文設(shè)計研發(fā)完成，并于2023-01-12向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種單晶β-氧化鎵納米片的制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種單晶β?氧化鎵納米片的制備方法。所述制備方法包括：采用化學(xué)氣相沉積的方法，以氧氣作為氧化劑對金屬鎵進行直接氧化，在具有限域空間的襯底材料表面生長形成單晶β?氧化鎵納米片。本發(fā)明通過引入空間限域的方法來實現(xiàn)對二維超薄單晶β?氧化鎵納米片的合成，利用氧氣做氧化劑，實現(xiàn)對金屬鎵直接氧化來制備氧化鎵納米片，無需催化劑、工藝簡單、生產(chǎn)成本低，制備出大尺寸、高質(zhì)量、厚度可控的單晶β?氧化鎵納米片，可用于紫外光電探測器和大功率電子器件等方面的研究和應(yīng)用。

本發(fā)明授權(quán)一種單晶β-氧化鎵納米片的制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種單晶β-氧化鎵納米片的制備方法，其特征在于，包括： 將兩個襯底相對疊加設(shè)置，在襯底上形成限域空間； 沿氧氣的氣流方向，將金屬鎵、具有限域空間的襯底材料依次放置于化學(xué)氣相沉積設(shè)備的反應(yīng)腔室內(nèi)，金屬鎵與具有限域空間的襯底之間具有選定間距，所述選定間距為2~10cm； 使反應(yīng)腔室內(nèi)的溫度升溫至900~1050°C，通入氧氣反應(yīng)5~30min，在具有限域空間的襯底表面生長形成單晶β-氧化鎵納米片，所述單晶β-氧化鎵納米片的長度在100μm以上，寬度在10μm以上，所述單晶β-氧化鎵納米片為二維結(jié)構(gòu)，其厚度為10~100nm。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所，其通訊地址為：215123 江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)獨墅湖高教區(qū)若水路398號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。