深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司江琳獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司申請的專利陣列基板及其制備方法、顯示面板獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN117476688B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310418267.1，技術領域涉及：H10D86/60；該發明授權陣列基板及其制備方法、顯示面板是由江琳;周楷設計研發完成，并于2023-04-12向國家知識產權局提交的專利申請。
本陣列基板及其制備方法、顯示面板在說明書摘要公布了：本申請公開了一種陣列基板及其制備方法、顯示面板，陣列基板的第二源電極通過第一源極部連接至第一源電極，第二漏電極通過第一漏極部連接至第一漏電極，使得第二源電極、第二漏電極將第一有源層與第二有源層搭接起來，從而實現了雙有源層共用柵電極的結構，能夠顯著的提升TFT器件的電流特性。本申請采用雙有源層共用柵電極結構，實現了TFT器件的高度集成化，可實現顯示面板的窄邊框顯示。
本發明授權陣列基板及其制備方法、顯示面板在權利要求書中公布了：1.一種陣列基板，其特征在于，包括： 第一金屬層； 第一有源層，其設置于所述第一金屬層上，所述第一有源層包括第一源極部、第一漏極部以及第一溝道部，其中，與所述第一源極部對應設置的所述第一金屬層為第一源電極，且所述第一源極部連接至第一源電極；與所述第一漏極部對應設置的所述第一金屬層為第一漏電極，且所述第一漏極部連接至所述第一漏電極；與所述第一溝道部對應設置的所述第一金屬層為遮光部； 第二金屬層，其設置于所述第一有源層上，所述第二金屬層包括柵電極，所述柵電極與所述第一溝道部對應設置； 第二有源層，其設置于所述第二金屬層上；以及 第三金屬層，其設置于所述第二有源層上，所述第三金屬層包括間隔設置的第二源電極及第二漏電極，其中，所述第二源電極連接至所述第一源極部；所述第二漏電極連接至所述第一漏極部。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司，其通訊地址為：518132 廣東省深圳市光明新區公明街道塘明大道；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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