粵芯半導體技術股份有限公司艾怡君獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉粵芯半導體技術股份有限公司申請的專利一種半導體器件及其N型阱偏移量的檢測方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN117976658B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202410126993.0，技術領域涉及：H01L23/544；該發明授權一種半導體器件及其N型阱偏移量的檢測方法是由艾怡君;趙曉龍;張青;張擁華設計研發完成，并于2024-01-29向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種半導體器件及其N型阱偏移量的檢測方法在說明書摘要公布了：本申請提供一種半導體器件及其N型阱偏移量的檢測方法，P型阱、第一N型阱、第二N型阱以及隔離結構均設置于襯底中；第一N型阱和第二N型阱分別位于P型阱的兩側且均與P型阱間隔設置；隔離結構的兩側分別與第一N型阱和第二N型阱接觸設置，隔離結構的底部與P型阱接觸設置；自隔離結構朝向P型阱的方向上，第一N型阱的正投影未與隔離結構的正投影重疊的區域且與襯底的正投影重疊的區域為第一重合區，第二N型阱的正投影未與隔離結構的正投影重疊的區域且與襯底的正投影重疊的區域為第二重合區；測試部包括第一測試墊和第二測試墊，第一測試墊和第二測試墊位于第一重合區以及第二重合區的上端和下端，以提高N型阱偏移量的檢測效率。
本發明授權一種半導體器件及其N型阱偏移量的檢測方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件，其特征在于，包括： 襯底； P型阱，設置于所述襯底中； 第一N型阱和第二N型阱，設置于所述襯底中，所述第一N型阱和所述第二N型阱分別位于所述P型阱的兩側且均與所述P型阱間隔設置； 隔離結構，設置于所述襯底中，所述隔離結構的兩側分別與所述第一N型阱和第二N型阱接觸設置，所述隔離結構的底部與所述P型阱接觸設置；自所述隔離結構朝向所述P型阱的方向上，所述第一N型阱的正投影未與所述隔離結構的正投影重疊的區域且與所述襯底的正投影重疊的區域為第一重合區，所述第二N型阱的正投影未與所述隔離結構的正投影重疊的區域且與所述襯底的正投影重疊的區域為第二重合區； 測試部，包括間隔設置的至少一第一測試墊和至少一第二測試墊，所述第一測試墊位于所述第一重合區以及所述第二重合區的上端和下端中的一者，所述第二測試墊位于所述第一重合區以及所述第二重合區的上端和下端中的另一者。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人粵芯半導體技術股份有限公司，其通訊地址為：510700 廣東省廣州市黃埔區鳳凰五路28號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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