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龍圖騰網獲悉西安交通大學申請的專利一種芯片內部冷卻的多芯片陣列集分液結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN118315353B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202410422406.2，技術領域涉及：H01L23/473；該發明授權一種芯片內部冷卻的多芯片陣列集分液結構是由張劍飛;張驍爍;屈治國設計研發完成，并于2024-04-09向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種芯片內部冷卻的多芯片陣列集分液結構在說明書摘要公布了：本發明提出了一種芯片內部冷卻的多芯片陣列集分液結構，包括：多芯片陣列、底部基板、二級集液基板、二級分液基板和一級集分液基板；低溫冷卻液從一級集分液基板的總進液口進入，經過一級集分液基板的一級分液流道和二級分液基板的二級分液流道進行均勻流量分配后，通過二級集液基板進液口和底部基板進液口進入多芯片陣列的各芯片內部進行冷卻，將多芯片陣列的熱量帶走后變為高溫冷卻液，隨后通過底部基板出液口進入二級集液基板的二級集液流道，并經二級集液基板出液口和二級分液基板出液口進入一級集分液基板的一級集液流道匯總，最后從一級集分液基板的總出液口流出；本發明通過兩級分液流道和兩級集液流道的設計實現了多芯片的并聯流道和芯片間的均勻流量分配，保證了多芯片陣列極高的溫度均勻性，同時具有占地面積小、低功耗的優點，為實現受限空間內多芯片的高效熱輸運提供了一種解決方案。

本發明授權一種芯片內部冷卻的多芯片陣列集分液結構在權利要求書中公布了：1.一種芯片內部冷卻的多芯片陣列集分液結構，其特征在于：從下到上包括緊密接觸的多芯片陣列1、底部基板2、二級集液基板3、二級分液基板4和一級集分液基板5； 所述多芯片陣列1接觸底部基板2的正面設有多個微流道6，背面與微流道6對應位置設有多個集成電路7，所述微流道6內的低溫冷卻液帶走所述集成電路7產生的熱量變為高溫冷卻液，直接對芯片進行內部冷卻； 所述底部基板2設有多個底部基板進液口8和多個底部基板出液口9，每個所述多芯片陣列1的微流道6與一個底部基板進液口8和一個底部基板出液口9對應； 所述二級集液基板3接觸二級分液基板4的正面設有多個二級集液基板進液口10和多個二級集液基板出液口11，所述二級集液基板進液口10與所述底部基板進液口8位置一一對應且尺寸相同，所述二級集液基板出液口11連通所述底部基板出液口9；背面設有二級集液流道12，所述二級集液流道12連通所述底部基板出液口9； 所述二級分液基板4接觸一級集分液基板5的正面設有多個二級分液基板進液口13和多個二級分液基板出液口14，所述二級分液基板進液口13連通所述二級集液基板進液口10，所述二級分液基板出液口14與所述二級集液基板出液口11位置一一對應且尺寸相同；背面設有二級分液流道15，所述二級分液流道15連通所述二級集液基板進液口10； 所述一級集分液基板5正面設有一個總進液口16和兩個總出液口17，連通二級分液基板進液口13和二級分液基板出液口14；背面設有一級集分液流道，所述一級集分液流道包括連通所述二級分液基板進液口13的一級分液流道18和連通所述二級分液基板出液口14的一級集液流道19。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人西安交通大學，其通訊地址為：710049 陜西省西安市碑林區咸寧西路28號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。