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龍圖騰網獲悉電子科技大學申請的專利一種多物理場耦合下的材料介電性能測試方法及裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN118914673B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411012808.1，技術領域涉及：G01R27/26；該發明授權一種多物理場耦合下的材料介電性能測試方法及裝置是由張云鵬;葉金平;劉昱琳;高沖;余承勇;龍嘉威;牛雪;鄭虎;李恩設計研發完成，并于2024-07-26向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種多物理場耦合下的材料介電性能測試方法及裝置在說明書摘要公布了：本發明的目的在于提供一種多物理場耦合下的材料介電性能測試方法及裝置，屬于微波測試技術領域。該測試方法利用假想材料無耗時對應的理想品質因數Q0s對開放式同軸腔的輻射損耗和歐姆損耗進行修正，提高了復介電常數測試的準確度和測試穩定性；同時對測試裝置進行設計，使得該裝置能夠構建力、熱、電、磁、微波等多物理場，實現對待測材料在多物理場耦合下的介電性能測試，為分析功能材料復介電常數隨多物理場加載量的演變規律提供了重要技術支撐。

本發明授權一種多物理場耦合下的材料介電性能測試方法及裝置在權利要求書中公布了：1.一種多物理場耦合下的材料介電性能測試方法，其特征在于，包括以下步驟： 步驟1：測量開放式同軸腔在空腔狀態下、TEM模式的諧振頻率f0和品質因數Q0； 步驟2：將與待測樣品相同厚度的參考樣品放置于開放式同軸腔的開路端，測量開放式同軸腔在加載參考樣品k1下、TEM模式的諧振頻率f1和品質因數Q1，然后更換參考樣品，對每個參考樣品均測試諧振頻率和品質因數，直至第m個參考樣品km，測量諧振頻率fm和品質因數Qm； 步驟3：將待測樣品放置于開放式同軸腔的開路端，并在待測樣品上加載多物理場，待加載的多物理場穩定后，測量開放式同軸腔在加載待測樣品下、TEM模式的諧振頻率f和品質因數Q； 步驟4：基于步驟1、步驟2和步驟3得到的m+2組測量數據，計算得到待測樣品的相對復介電常數εr，其計算過程如下： 步驟4.1.對于TEM模式，根據微擾法改進得到如下方程： 其中，εr為相對復介電常數，ε'r為相對介電常數，tanδ為損耗角正切，j為虛部，ε0為真空介電常數，△f＝f0-fs，fs為fm或f，Qs為Qm或Q，{am}和{bm}為校準系數； 步驟4.2.將空腔狀態下的測量數據f0，加載參考樣品狀態下的測量數據{fm}，以及參考樣品的相對介電常數ε'rm代入式2，得到m個方程，聯立求解得到TEM模式的校準系數{am}； 步驟4.3.將加載參考樣品狀態下的測量數據{fm}與{Qm}，參考樣品的相對介電常數ε'rm和損耗角正切tanδm，以及求得的校準系數{am}代入式3，得到m個方程，聯立求解得到TEM模式的理想品質因數{Q0sm}； 步驟4.4.將空腔狀態下的測量數據f0和Q0，加載參考樣品狀態下的測量數據{fm}，以及步驟4.3得到的TEM模式的理想品質因數{Q0sm}代入式4，得到m+1個方程，聯立求解得到TEM模式的校準系數{bm}； 步驟4.5.將空腔狀態下的測量數據f0，加載待測樣品狀態下的諧振頻率f和品質因數Q，以及求得的校準系數{am}和{bm}，代入式1～4，即可計算得到待測樣品的相對復介電常數εr。

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