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龍圖騰網(wǎng)獲悉陜西科技大學(xué)申請的專利一種改性聚醚酰亞胺基復(fù)合介質(zhì)薄膜的制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN118930857B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-09發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202411248591.4，技術(shù)領(lǐng)域涉及：C08G73/10；該發(fā)明授權(quán)一種改性聚醚酰亞胺基復(fù)合介質(zhì)薄膜的制備方法是由劉曉旭;孫家明;黃少輝設(shè)計研發(fā)完成，并于2024-09-06向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種改性聚醚酰亞胺基復(fù)合介質(zhì)薄膜的制備方法在說明書摘要公布了：一種改性聚醚酰亞胺基復(fù)合介質(zhì)薄膜的制備方法，步驟為：步驟1，制備單寧酸溶液，配制七水合硫酸鋅溶液，制備二氧化硅分散液；步驟2，制備硫酸鋅二氧化硅混合液，制備出核殼結(jié)構(gòu)填料TA?ZnII@SiO2；步驟3，制備二胺分散液；將核殼結(jié)構(gòu)填料TA?ZnII@SiO2填料加入二胺分散液中；步驟4，將雙酚A型二醚二酐，加入到二胺分散液中，得到聚酰胺酸膠體；步驟5，對聚酰胺酸膠體抽真空泡，將聚酰胺酸膠體均勻涂覆到玻璃板上，于高溫烘箱中去除薄膜中的溶劑，保溫，冷卻后得到改性聚醚酰亞胺基復(fù)合介質(zhì)薄膜；解決了SiO2填料與聚醚酰亞胺基體之間的界面不匹配問題，顯著減少了界面處載流子的聚集現(xiàn)象；提高了復(fù)合介質(zhì)的擊穿強(qiáng)度，有效提升了聚醚酰亞胺基電介質(zhì)的儲能性能。

本發(fā)明授權(quán)一種改性聚醚酰亞胺基復(fù)合介質(zhì)薄膜的制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種改性聚醚酰亞胺基復(fù)合介質(zhì)薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： 步驟1，取0.02-0.06g的單寧酸溶于25-75mL去離子水中制備單寧酸溶液，取0.005-0.015g七水合硫酸鋅溶于25-75mL去離子水中配制七水合硫酸鋅溶液，將0.05-0.15g羥基改性的二氧化硅納米顆粒溶于50-150mL去離子水中制備二氧化硅分散液； 步驟2，將硫酸鋅溶液倒入步驟1制備的二氧化硅分散液中混合均勻，得到硫酸鋅二氧化硅混合液，接著將單寧酸溶液加入硫酸鋅二氧化硅混合液中混合均勻，在12000rpm轉(zhuǎn)速下多次離心洗滌，冷凍干燥制備出核殼結(jié)構(gòu)填料TA-ZnII@SiO2； 步驟3，將1.5-4.5g4,4'-二氨基二苯醚溶于18.3-54.9mL的N-甲基-2-吡咯烷酮溶劑中，得到二胺分散液；然后將核殼結(jié)構(gòu)填料TA-ZnII@SiO2加入二胺分散液中，攪拌均勻； 步驟4，將雙酚A型二醚二酐稱取4.019-12.057g，分6次加入到二胺分散液中，得到聚酰胺酸膠體； 步驟5，對聚酰胺酸膠體進(jìn)行抽真空除泡，隨后用刮刀將聚酰胺酸膠體均勻涂覆到玻璃板上，然后置于高溫烘箱中去除薄膜中的溶劑，150°C保溫1h，200°C保溫1h，250°C保溫1h，300°C保溫1h，等到自然冷卻后得到改性聚醚酰亞胺基復(fù)合介質(zhì)薄膜。

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