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龍圖騰網(wǎng)獲悉浙江創(chuàng)芯集成電路有限公司申請(qǐng)的專(zhuān)利半導(dǎo)體器件中金屬硅化物電阻的測(cè)量方法及多晶硅尺寸監(jiān)控方法、產(chǎn)品電性監(jiān)測(cè)方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN119314893B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-09發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?專(zhuān)利號(hào)為：202411824009.4，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/66；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件中金屬硅化物電阻的測(cè)量方法及多晶硅尺寸監(jiān)控方法、產(chǎn)品電性監(jiān)測(cè)方法是由呂軍軍;陶然;吳永玉;高大為設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2024-12-12向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專(zhuān)利申請(qǐng)。

本半導(dǎo)體器件中金屬硅化物電阻的測(cè)量方法及多晶硅尺寸監(jiān)控方法、產(chǎn)品電性監(jiān)測(cè)方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本發(fā)明公開(kāi)半導(dǎo)體器件中金屬硅化物電阻的測(cè)量方法及多晶硅尺寸監(jiān)控方法、產(chǎn)品電性監(jiān)測(cè)方法。本發(fā)明通過(guò)對(duì)所述金屬硅化物對(duì)應(yīng)的方塊電阻兩端分別施加高電位或低電位，測(cè)得金屬硅化物方塊電阻總阻值；由于金屬硅化物方塊電阻總阻值受離子注入層電阻干擾，通過(guò)將金屬硅化物方塊電阻總阻值去除離子注入層電阻干擾后作為金屬硅化物電阻。本發(fā)明創(chuàng)新性地提出離子注入層干擾問(wèn)題，并通過(guò)精確的計(jì)算方法將其去除，從而能夠獲得不受離子注入層干擾的金屬硅化物實(shí)際阻值。與傳統(tǒng)測(cè)量方法相比，本發(fā)明的測(cè)量結(jié)果更加準(zhǔn)確可靠，為后續(xù)的多晶硅尺寸監(jiān)控和半導(dǎo)體器件性能評(píng)估提供了堅(jiān)實(shí)的數(shù)據(jù)基礎(chǔ)。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件中金屬硅化物電阻的測(cè)量方法及多晶硅尺寸監(jiān)控方法、產(chǎn)品電性監(jiān)測(cè)方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種半導(dǎo)體器件中金屬硅化物電阻的測(cè)量方法，所述半導(dǎo)體器件中金屬硅化物是通過(guò)多晶硅的離子注入層上沉積金屬硅化物而形成的金屬硅化物層；其特征在于，所述方法是通過(guò)對(duì)所述金屬硅化物對(duì)應(yīng)的方塊電阻兩端分別施加高電位或低電位，測(cè)得金屬硅化物方塊電阻總阻值；由于金屬硅化物方塊電阻總阻值受離子注入層電阻干擾，通過(guò)將金屬硅化物方塊電阻總阻值去除離子注入層電阻干擾后作為金屬硅化物電阻。

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