買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標(biāo)用IPTOP,全免費(fèi)！專利年費(fèi)監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)獲悉佛山市國星半導(dǎo)體技術(shù)有限公司申請的專利GaN薄膜功率器件及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN119997548B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-09發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510407818.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/47；該發(fā)明授權(quán)GaN薄膜功率器件及其制備方法是由李軍政;陳凱;董澤鑫;鐘美云設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-04-02向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本GaN薄膜功率器件及其制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及晶體管領(lǐng)域，具體公開了一種GaN薄膜功率器件及其制備方法。其中，GaN薄膜功率器件包括包括復(fù)合調(diào)節(jié)層、緩沖層、溝道層、勢壘層、鈍化層、柵極電極、源極電極和漏極電極，所述復(fù)合調(diào)節(jié)層、所述緩沖層、所述溝道層、所述勢壘層、所述鈍化層和所述柵極電極依次層疊；所述源極電極、所述漏極電極設(shè)于所述柵極電極的兩側(cè)，并穿過所述鈍化層延伸至所述勢壘層中；所述復(fù)合調(diào)節(jié)層包括依次層疊的HfO2層、AlON層、BGaN層和SiN層。實(shí)施本發(fā)明，可減少襯底剝離過程中各項(xiàng)性能的損失，且提升耐壓性能。

本發(fā)明授權(quán)GaN薄膜功率器件及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種GaN薄膜功率器件，其特征在于，包括復(fù)合調(diào)節(jié)層、緩沖層、溝道層、勢壘層、鈍化層、柵極電極、源極電極和漏極電極，所述復(fù)合調(diào)節(jié)層、所述緩沖層、所述溝道層、所述勢壘層、所述鈍化層和所述柵極電極依次層疊；所述源極電極、所述漏極電極設(shè)于所述柵極電極的兩側(cè)，并穿過所述鈍化層延伸至所述勢壘層中； 所述復(fù)合調(diào)節(jié)層包括依次層疊的HfO2層、AlON層、BGaN層和SiN層。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人佛山市國星半導(dǎo)體技術(shù)有限公司，其通訊地址為：528200 廣東省佛山市南海區(qū)獅山鎮(zhèn)羅村朗沙廣東新光源產(chǎn)業(yè)基地內(nèi)光明大道18號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。