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龍圖騰網(wǎng)獲悉西安維國電子科技有限公司申請(qǐng)的專利一種水平極化電磁脈沖模擬裝置獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN120415382B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-09發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202510908264.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H03K3/012；該發(fā)明授權(quán)一種水平極化電磁脈沖模擬裝置是由陳維青;張國偉;張文靜;李士剛;張奇;余友友;彭騫;左澳生設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-07-02向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種水平極化電磁脈沖模擬裝置在說明書摘要公布了：本申請(qǐng)屬于電磁脈沖模擬技術(shù)領(lǐng)域，具體揭示了一種水平極化電磁脈沖模擬裝置，所述裝置包括：脈沖形成單元、陡化單元、觸發(fā)控制單元和天線發(fā)射單元，其中，所述脈沖形成單元用于將直流電源的能量轉(zhuǎn)換為高頻振蕩電流，并形成脈沖電壓；所述陡化單元用于控制儲(chǔ)能電容的放電路徑以及實(shí)現(xiàn)所述脈沖電壓的陡化放電；所述觸發(fā)控制單元用于生成脈沖觸發(fā)信號(hào)，以控制所述陡化單元觸發(fā)與保護(hù)；所述天線發(fā)射單元用于將脈沖電壓轉(zhuǎn)化為空間輻射電磁波，并進(jìn)行電磁波的輻射與傳輸。本申請(qǐng)能夠消除現(xiàn)有脈沖模擬裝置生成波形中的陡化現(xiàn)象。

本發(fā)明授權(quán)一種水平極化電磁脈沖模擬裝置在權(quán)利要求書中公布了：1.一種水平極化電磁脈沖模擬裝置，其特征在于，所述裝置包括： 脈沖形成單元、陡化單元、觸發(fā)控制單元和天線發(fā)射單元，其中， 所述脈沖形成單元用于將直流電源的能量轉(zhuǎn)換為高頻振蕩電流，并形成脈沖電壓； 所述陡化單元用于控制儲(chǔ)能電容的放電路徑以及實(shí)現(xiàn)所述脈沖電壓的陡化放電； 所述觸發(fā)控制單元用于生成脈沖觸發(fā)信號(hào)，以控制所述陡化單元觸發(fā)與保護(hù)； 所述天線發(fā)射單元用于將脈沖電壓轉(zhuǎn)化為空間輻射電磁波，并進(jìn)行電磁波的輻射與傳輸； 所述陡化單元包括： 儲(chǔ)能電容網(wǎng)絡(luò)和智能匹配網(wǎng)絡(luò)，其中， 儲(chǔ)能電容網(wǎng)絡(luò)用于儲(chǔ)存所述脈沖形成單元產(chǎn)生的脈沖電壓； 智能匹配網(wǎng)絡(luò)用于自動(dòng)調(diào)節(jié)阻抗匹配，以最大化電磁波輻射效率并防止能量反射； 所述儲(chǔ)能電容網(wǎng)絡(luò)包括： 第一儲(chǔ)能電容器、第二儲(chǔ)能電容器、第一電容切換控制繼電器、第二電容切換控制繼電器和陡化開關(guān)，其中， 第一儲(chǔ)能電容器的正極連接高壓電源，第一儲(chǔ)能電容器的負(fù)極與第一電容切換控制繼電器的輸入端連接形成節(jié)點(diǎn)，第二電容切換控制繼電器的輸入端連接節(jié)點(diǎn)； 第二電容切換控制繼電器的輸出端連接第二儲(chǔ)能電容器的正極，第一電容切換控制繼電器的輸出端連接第二儲(chǔ)能電容器的負(fù)極，且第二儲(chǔ)能電容器的正極通過陡化開關(guān)連接至所述智能匹配網(wǎng)絡(luò)的輸入端； 所述智能匹配網(wǎng)絡(luò)包括： 第五電阻、第六電阻、第七電阻、第二sicmosfet開關(guān)、第三sicmosfet開關(guān)和第四sicmosfet開關(guān)，其中， 第五電阻、第六電阻和第七電阻的第一端同時(shí)連接所述陡化開關(guān)的輸出端； 第五電阻的第二端連接所述第二sicmosfet開關(guān)的源極，第二sicmosfet開關(guān)的柵極連接所述觸發(fā)控制單元的第一控制端； 第六電阻的第二端連接所述第三sicmosfet開關(guān)的源極，第三sicmosfet開關(guān)的柵極連接所述觸發(fā)控制單元的第二控制端； 第七電阻的第二端連接第四sicmosfet開關(guān)的源極，第四sicmosfet開關(guān)的柵極連接所述觸發(fā)控制單元的第三控制端； 第二sicmosfet開關(guān)的漏極、第三sicmosfet開關(guān)的漏極以及第四sicmosfet開關(guān)的漏極同時(shí)接入所述天線發(fā)射單元的輸入端。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人西安維國電子科技有限公司，其通訊地址為：712000 陜西省咸陽市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)星火大道3號(hào)中國電子西部智谷三期第E17-2棟；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。