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龍圖騰網(wǎng)獲悉浙江創(chuàng)芯集成電路有限公司申請的專利半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法、半導(dǎo)體器件和電子設(shè)備獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN120417472B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-09發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510920587.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D84/01；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法、半導(dǎo)體器件和電子設(shè)備是由王爽;許凱;吳永玉;高大為設(shè)計研發(fā)完成，并于2025-07-04向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法、半導(dǎo)體器件和電子設(shè)備在說明書摘要公布了：本公開提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法、半導(dǎo)體器件和電子設(shè)備，其中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法包括：形成漂移區(qū)，所述漂移區(qū)在第一方向上與第一區(qū)域相鄰設(shè)置，所述第一方向與所述漂移區(qū)的頂面平行；形成第一柵極、第二柵極以及第一場介質(zhì)層，所述第一場介質(zhì)層覆蓋所述第一區(qū)域和所述漂移區(qū)，所述第一柵極覆蓋所述第一區(qū)域上方的第一場介質(zhì)層，所述第二柵極覆蓋所述漂移區(qū)上方的第一場介質(zhì)層，所述第一柵極沿所述第一方向與所述第二柵極間隔設(shè)置；形成場板，所述場板覆蓋所述第一場介質(zhì)層，所述場板與所述第二柵極間隔設(shè)置，并在所述第一方向上位于所述第二柵極遠離所述第一柵極的一側(cè)。采用上述技術(shù)方案，能夠改善半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的可靠性。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法、半導(dǎo)體器件和電子設(shè)備在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括： 形成漂移區(qū)，其中，所述漂移區(qū)在第一方向上與第一區(qū)域相鄰設(shè)置，所述第一方向與所述漂移區(qū)的頂面平行； 形成第一柵極、第二柵極以及第一場介質(zhì)層，其中，所述第一場介質(zhì)層覆蓋所述第一區(qū)域和所述漂移區(qū)，所述第一柵極覆蓋所述第一區(qū)域上方的第一場介質(zhì)層，所述第二柵極覆蓋所述漂移區(qū)上方的第一場介質(zhì)層，所述第一柵極沿所述第一方向與所述第二柵極間隔設(shè)置； 形成場板，其中，所述場板覆蓋所述第一場介質(zhì)層，所述場板與所述第二柵極間隔設(shè)置，并在所述第一方向上位于所述第二柵極遠離所述第一柵極的一側(cè)； 其中，所述第二柵極包括柵極主體與多個柵極延伸部，所述柵極主體沿第二方向延伸，各個柵極延伸部在所述第二方向上間隔排布，各個柵極延伸部的一端分別與所述柵極主體連接，且另一端分別沿所述第一方向延伸，所述第二方向與所述漂移區(qū)的頂面平行，且與所述第一方向垂直； 所述場板包括場板主體與多個場板延伸部，所述場板主體沿所述第二方向延伸，各個場板延伸部在所述第二方向上間隔排布，各個場板延伸部的一端分別與所述場板主體連接，且另一端分別沿所述第一方向延伸； 所述柵極延伸部位于所述柵極主體與所述場板主體之間； 所述場板延伸部位于所述柵極主體與所述場板主體之間； 各個場板延伸部和各個場板延伸部在所述第二方向上交替間隔排布。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人浙江創(chuàng)芯集成電路有限公司，其通訊地址為：311200 浙江省杭州市蕭山區(qū)寧圍街道平瀾路2118號浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心水博園區(qū)11幢4層-5層；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。