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龍圖騰網(wǎng)獲悉蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司申請的專利紫外LED及其制作方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115485862B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-05發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202080097534.4，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10H20/816；該發(fā)明授權(quán)紫外LED及其制作方法是由程凱;劉撰設(shè)計研發(fā)完成，并于2020-05-13向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本紫外LED及其制作方法在說明書摘要公布了：本申請?zhí)峁┝艘环N紫外LED及其制作方法，制作方法中，在電子提供層上形成N型過渡層和或在空穴提供層上形成P型過渡層，電子提供層與空穴提供層的材料都至少包括Al、Ga、N三種元素，N型過渡層與P型過渡層的材料為GaN；在N型過渡層上形成N電極，N型過渡層與N電極之間形成歐姆接觸；在P型過渡層上形成P電極，P型過渡層與P電極之間形成歐姆接觸。相對于在含鋁GaN基材料上直接形成歐姆接觸電極，可以避免退火，以及避免退火過程中的高溫造成電子提供層性能下降，有源層中電子空穴復(fù)合率降低。

本發(fā)明授權(quán)紫外LED及其制作方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種紫外LED，其特征在于，包括： 電子提供層（11）、空穴提供層（13）以及所述電子提供層（11）與所述空穴提供層（13）之間的有源層（12），所述電子提供層（11）與所述空穴提供層（13）的材料都至少包括Al、Ga、N三種元素；所述電子提供層（11）上具有N型過渡層（141），所述電子提供層（11）與所述N型過渡層（141）之間具有N型漸變材料層（161）；所述N型過渡層（141）的材料為GaN；所述N型過渡層（141）上設(shè)置有N電極（151），所述N型過渡層（141）與所述N電極（151）之間形成歐姆接觸，以使所述N電極（151）與所述N型過渡層（141）之間不需退火就能形成低接觸電阻； 所述空穴提供層（13）上具有P型過渡層（142），所述P型過渡層（142）的材料為GaN；所述P型過渡層（142）上設(shè)置有P電極（152），所述P型過渡層（142）與所述P電極（152）之間形成歐姆接觸； 其中，所述空穴提供層（13）與所述P型過渡層（142）之間具有P型漸變材料層（162）； 所述N型過渡層（141）為N型離子重?fù)诫sGaN層（141'），和所述P型過渡層（142）為P型離子重?fù)诫sGaN層（142'）； 所述P型離子重?fù)诫sGaN層（142'）和所述P電極（152）之間具有在所述P型離子重?fù)诫sGaN層（142'）上依次疊置的N型漸變材料層（161）和N型離子重?fù)诫sGaN層（141'）。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司，其通訊地址為：215123 江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號西北區(qū)20幢517-A室；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。