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龍圖騰網(wǎng)獲悉日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司申請的專利半導(dǎo)體封裝裝置及其制造方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN112435996B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-05發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202011073612.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L25/07；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體封裝裝置及其制造方法是由黃文宏;林儀婷設(shè)計研發(fā)完成，并于2020-10-09向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體封裝裝置及其制造方法在說明書摘要公布了：本公開提供了半導(dǎo)體封裝裝置及其制造方法。通過將原本在晶片端形成的重布線層或者在基板端形成的重布線層分成兩部分，一部分形成在基板端，一部分形成晶片端，即分成兩條工作線去做，進(jìn)而，半導(dǎo)體封裝裝置可以實現(xiàn)包括但不限于以下技術(shù)效果：第一，通過在基板端和芯片端分別形成重布線層，實現(xiàn)了5到7納米制程的芯片與基板的連接。第二，通過采用重布線層，相對于2.5D和3D封裝，降低了制程成本。第三，通過在基板端和芯片端分別形成重布線層，相對于只在基板單端或者只在晶片單端形成重布線層，可以提高整體良率。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體封裝裝置及其制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種制造半導(dǎo)體封裝裝置的方法，包括： 提供基板和第一重布線層，其中，所述基板的線寬與線距大于10微米； 將第一重布線層通過粘合層粘合到所述基板； 在所述第一重布線層表面鉆孔貫穿所述第一重布線層和所述粘合層并延伸至所述基板，形成通孔； 在所形成的通孔內(nèi)進(jìn)行電鍍和導(dǎo)通，以使得所述第一重布線層通過至少一個所述通孔電連接所述基板； 提供至少一個芯片和載體，其中，至少一個芯片為5納米到7納米制程的芯片； 將所述至少一個芯片粘合于載體上； 塑封以形成第一封裝體，其中，所述第一封裝體包覆所述至少一個芯片； 移除所述載體后研磨所述第一封裝體的上下表面以使得各所述芯片的電連接件露出所述第一封裝體，各所述芯片的主動面靠近所述第一封裝體的同一表面； 在所述第一封裝體的各所述芯片的主動面所在的表面形成第二重布線層，以使得各所述芯片電連接所述第二重布線層，其中，所述第一重布線層和所述第二重布線層的線寬與線距為0.5微米到10微米之間； 將所述第二重布線層貼裝至所述第一重布線層，且所述第二重布線層電連接所述第一重布線層； 在所述第二重布線層底部與所述第一重布線層之間填充底部填充膠； 塑封以形成第二封裝體，其中，所述第二封裝體包覆所述基板、所述粘合層、所述第一重布線層、所述第二重布線層和所述第一封裝體。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣高雄市楠梓加工區(qū)經(jīng)三路26號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。