聯華電子股份有限公司楊宗祐獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉聯華電子股份有限公司申請的專利半導體結構及其制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114765171B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110047083.X，技術領域涉及：H10B10/00；該發明授權半導體結構及其制作方法是由楊宗祐;李信宏;曹瑞哲;邱達偉設計研發完成，并于2021-01-14向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構及其制作方法在說明書摘要公布了：本發明公開一種半導體結構及其制作方法，其中該半導體結構包含一基底，具有一第一區域和在所述第一區域周圍的一第二區域；至少一第一鰭狀結構，設置在所述第一區域內；至少一第二鰭狀結構，設置在所述第二區域內；一第一隔離溝槽，設置在所述第一區域內并鄰近所述至少一第一鰭狀結構；一第一溝槽隔離層，設置在所述第一隔離溝槽中；一第二隔離溝槽，設置在所述第一區域周圍并位于所述至少一第一鰭狀結構與所述至少一第二鰭狀結構之間，其中所述第二隔離溝槽的底面具有一階梯落差；以及一第二溝槽隔離層，設置在所述第二隔離溝槽中。
本發明授權半導體結構及其制作方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構，其特征在于，包含： 基底，具有第一區域和在所述第一區域周圍的第二區域； 至少一第一鰭狀結構，設置在所述第一區域內； 至少一第二鰭狀結構，設置在所述第二區域內； 第一隔離溝槽，設置在所述第一區域內并鄰近所述至少一第一鰭狀結構； 第一溝槽隔離層，設置在所述第一隔離溝槽中； 第二隔離溝槽，設置在所述第一區域周圍并位于所述至少一第一鰭狀結構與所述至少一第二鰭狀結構之間，其中所述第二隔離溝槽的底面具有階梯落差；以及 第二溝槽隔離層，設置在所述第二隔離溝槽中， 其中，所述底面包含在所述第一區域內的第一表面和在所述第二區域內的第二表面，其中所述第一表面低于所述第二表面。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人聯華電子股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹市；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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