日本株式會社日立高新技術科學大庭弘獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉日本株式會社日立高新技術科學申請的專利會聚離子束加工裝置獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN113436952B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202110302101.4,技術領域涉及:H01J37/09;該發明授權會聚離子束加工裝置是由大庭弘;杉山安彥;中川良知;永原幸兒設計研發完成,并于2021-03-22向國家知識產權局提交的專利申請。
本會聚離子束加工裝置在說明書摘要公布了:提供在利用會聚離子束進行截面加工時改善截面形狀、并且提高作業效率的會聚離子束加工裝置。會聚離子束加工裝置100具有離子源21、保持試樣200的試樣載臺50、會聚透鏡22、具有一邊24t呈直線狀的狹縫24s的光圈24、以及配置于光圈與試樣臺之間的射束路徑的投射透鏡28,在試樣加工出截面,在通過柯拉照明法使會聚離子束20A聚焦于投射透鏡的主平面時會聚透鏡的施加電壓為規定電壓的情況下,將施加電壓設定為小于該規定電壓且為該規定電壓的80%以上,設定光圈的位置,以使所述光圈在如下狀態下遮擋該會聚離子束,該狀態是,所述光圈的所述一邊距所述會聚離子束的中心的距離大于0μm且為500μm以下的狀態,構成將狹縫的形狀轉印到試樣的轉印模式。
本發明授權會聚離子束加工裝置在權利要求書中公布了:1.一種會聚離子束加工裝置,其具有: 離子源; 試樣載臺,其保持試樣; 會聚透鏡,其使從離子源發出的離子會聚成會聚離子束; 光圈,其遮擋由所述會聚透鏡會聚而成的所述會聚離子束的一部分,具有用于將所述試樣加工成所需的形狀的至少一邊呈直線狀的狹縫;以及 投射透鏡,其配置于所述光圈與所述試樣載臺之間的射束路徑,使通過了所述光圈的所述會聚離子束以該光圈為光源聚焦于所述試樣的規定位置, 在所述試樣加工出與所述會聚離子束的照射方向平行的截面, 其特征在于, 在通過柯拉照明法使所述會聚離子束聚焦于所述投射透鏡的主平面時所述會聚透鏡的施加電壓為規定電壓的情況下,將所述會聚透鏡的所述施加電壓設定為小于該規定電壓且為該規定電壓的80%以上, 設定所述光圈的位置,以使所述光圈在如下狀態下遮擋該會聚離子束,該狀態是,所述光圈的所述一邊距所述會聚離子束的中心的距離大于0μm且為500μm以下的狀態, 所述投射透鏡的施加電壓被設定為使基于所述光圈的所述狹縫的像聚焦于所述試樣表面的施加電壓, 構成如下的轉印模式:所述會聚離子束不進行掃描,而是將成形為所述狹縫的形狀的所述會聚離子束一次性地照射到所述試樣表面,將該狹縫的形狀轉印到所述試樣。
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