杭州電子科技大學劉艷獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉杭州電子科技大學申請的專利一種凹槽柵增強型GaN基HFETs器件及其柵源通道電阻調節方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115101586B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210773421.2，技術領域涉及：H10D62/854；該發明授權一種凹槽柵增強型GaN基HFETs器件及其柵源通道電阻調節方法是由劉艷;王濤;程知群;陳思敏設計研發完成，并于2022-07-03向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種凹槽柵增強型GaN基HFETs器件及其柵源通道電阻調節方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種凹槽柵增強型GaN基HFETs器件，包括襯底和設置在襯底上方的GaN層，所述GaN層上方設置有源極、漏極和T型柵極，所述源極和漏極之間設置有勢壘層，所述勢壘層包括勢壘層本體、源端摻雜區和漏端摻雜區，所述源端摻雜區和漏端摻雜區通過歐姆接觸工藝分別與源極和漏極相連接，所述源端摻雜區和漏端摻雜區摻雜具有大原子半徑的金屬原子，所述勢壘層與GaN層之間設有AlN插層，所述勢壘層上表面設置有鈍化層。采用上述技術方案，通過在勢壘層摻雜具有大原子半徑的金屬原子能夠改變歐姆接觸附近勢壘層的應變，進而改變與勢壘層應變相關的極化庫侖場散射的大小，實現柵源通道電阻的調節，從而提高GaN基HFETs的性能。
本發明授權一種凹槽柵增強型GaN基HFETs器件及其柵源通道電阻調節方法在權利要求書中公布了：1.一種凹槽柵增強型GaN基HFETs器件，包括襯底（1）和設置在襯底（1）上方的GaN層（2），所述GaN層（2）上方設置有源極（6）、漏極（8）和T型柵極（7），其特征在于，所述源極（6）和漏極（8）之間設置有勢壘層（4），所述勢壘層（4）包括勢壘層本體（401）、源端摻雜區（402）和漏端摻雜區（403），所述源端摻雜區（402）和漏端摻雜區（403）通過歐姆接觸工藝分別與源極（6）和漏極（8）相連接，所述源端摻雜區（402）和漏端摻雜區（403）摻雜具有大原子半徑的金屬原子，所述具有大原子半徑的金屬原子是指具有比Al原子半徑大的金屬原子，所述勢壘層（4）與GaN層（2）之間設有AlN插層（3），所述勢壘層（4）上表面設置有鈍化層。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人杭州電子科技大學，其通訊地址為：310018 浙江省杭州市錢塘新區白楊街道2號大街1158號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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