長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司劉小欣獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司申請(qǐng)的專利三維存儲(chǔ)器及制備方法、存儲(chǔ)系統(tǒng)獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號(hào)為:CN116156897B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-05發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為:202211174501.2,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H10B43/50;該發(fā)明授權(quán)三維存儲(chǔ)器及制備方法、存儲(chǔ)系統(tǒng)是由劉小欣;霍宗亮設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2022-09-26向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。
本三維存儲(chǔ)器及制備方法、存儲(chǔ)系統(tǒng)在說明書摘要公布了:本公開提供了一種三維存儲(chǔ)器及制備方法、存儲(chǔ)系統(tǒng),涉及半導(dǎo)體芯片技術(shù)領(lǐng)域,三維存儲(chǔ)器包括陣列器件和第一外圍器件。陣列器件包括:第一基底、存儲(chǔ)堆疊結(jié)構(gòu)和柵線隔離結(jié)構(gòu)。存儲(chǔ)堆疊結(jié)構(gòu)設(shè)置在第一基底上,包括交替疊置的柵絕緣層和柵極層。柵線隔離結(jié)構(gòu)包括多個(gè)導(dǎo)電部和第一絕緣層,多個(gè)導(dǎo)電部中的每個(gè)導(dǎo)電部穿存儲(chǔ)堆疊結(jié)構(gòu)和第一基底,第一絕緣層設(shè)置在導(dǎo)電部與柵極層之間,以及相鄰的導(dǎo)電部之間。第一外圍器件設(shè)置在第一基底遠(yuǎn)離存儲(chǔ)堆疊結(jié)構(gòu)的一側(cè)。導(dǎo)電部延伸至第一外圍器件,并與第一外圍器件電連接。
本發(fā)明授權(quán)三維存儲(chǔ)器及制備方法、存儲(chǔ)系統(tǒng)在權(quán)利要求書中公布了:1.一種三維存儲(chǔ)器,其特征在于,包括:陣列器件和第一外圍器件; 所述陣列器件包括: 第一基底; 存儲(chǔ)堆疊結(jié)構(gòu),設(shè)置在所述第一基底上,包括交替疊置的柵絕緣層和柵極層;以及, 柵線隔離結(jié)構(gòu),包括多個(gè)導(dǎo)電部和第一絕緣層,所述多個(gè)導(dǎo)電部中的每個(gè)導(dǎo)電部貫穿所述存儲(chǔ)堆疊結(jié)構(gòu)和所述第一基底,所述第一絕緣層設(shè)置在所述每個(gè)導(dǎo)電部與所述柵極層之間,以及相鄰的導(dǎo)電部之間; 所述第一外圍器件設(shè)置在所述第一基底遠(yuǎn)離所述存儲(chǔ)堆疊結(jié)構(gòu)的一側(cè); 所述每個(gè)導(dǎo)電部延伸至所述第一外圍器件,并與所述第一外圍器件電連接。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)@麢?quán)人長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司,其通訊地址為:430000 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)未來三路88號(hào);或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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