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龍圖騰網獲悉三星電子株式會社申請的專利包括納米片場效應晶體管單元架構的半導體裝置及芯片獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111180443B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201911089906.4，技術領域涉及：H10D84/83；該發明授權包括納米片場效應晶體管單元架構的半導體裝置及芯片是由麥克·史帝芬·羅德爾;雷維基·森古普塔;洪俊顧;提塔許·瑞許特設計研發完成，并于2019-11-08向國家知識產權局提交的專利申請。

本包括納米片場效應晶體管單元架構的半導體裝置及芯片在說明書摘要公布了：提供一種半導體裝置及一種半導體芯片。半導體裝置包括被溝道間距間隔開的第一環繞式柵極場效應晶體管與第二環繞式柵極場效應晶體管及柵極觸點。環繞式柵極場效應晶體管中的每一者包括：水平納米片導電溝道結構；柵極材料，完全包圍水平納米片導電溝道結構；源極區及漏極區，位于水平納米片導電溝道結構的相對的端處；源極觸點及漏極觸點，位于源極區及漏極區上。第一環繞式柵極場效應晶體管或第二環繞式柵極場效應晶體管的水平納米片導電溝道結構的寬度小于最大允許寬度。柵極觸點與第一環繞式柵極場效應晶體管及第二環繞式柵極場效應晶體管的源極區及漏極區中的每一者間隔開介于從最小設計規則間距到最大距離的范圍內的距離。

本發明授權包括納米片場效應晶體管單元架構的半導體裝置及芯片在權利要求書中公布了：1.一種半導體裝置，包括： 第一環繞式柵極場效應晶體管；以及 第二環繞式柵極場效應晶體管，與所述第一環繞式柵極場效應晶體管間隔開溝道間距，所述第一環繞式柵極場效應晶體管及所述第二環繞式柵極場效應晶體管中的每一者包括： 至少一個水平納米片導電溝道結構； 柵極材料，完全包圍所述至少一個水平納米片導電溝道結構中的每一者； 源極區，位于所述至少一個水平納米片導電溝道結構的第一端處； 源極觸點，位于所述源極區上； 漏極區，位于所述至少一個水平納米片導電溝道結構的與所述第一端相對的第二端處；以及 漏極觸點，位于所述漏極區上， 其中所述第一環繞式柵極場效應晶體管或所述第二環繞式柵極場效應晶體管中的至少一者的所述至少一個水平納米片導電溝道結構的寬度小于最大允許寬度；以及 至少一個柵極觸點，位于所述第一環繞式柵極場效應晶體管與所述第二環繞式柵極場效應晶體管之間的所述溝道間距中所述柵極材料上，所述至少一個柵極觸點與所述第一環繞式柵極場效應晶體管及所述第二環繞式柵極場效應晶體管的所述源極區及所述漏極區中的每一者間隔開介于從最小設計規則間距到最大距離的范圍內的距離。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人三星電子株式會社，其通訊地址為：韓國京畿道水原市靈通區三星路129號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。