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龍圖騰網獲悉復旦大學申請的專利基于模板生長的鈣鈦礦薄膜晶體管及其制備方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN118201442B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202410347431.9，技術領域涉及：H10K71/12；該發(fā)明授權基于模板生長的鈣鈦礦薄膜晶體管及其制備方法是由李文武;吳燕秋;褚君浩設計研發(fā)完成，并于2024-03-26向國家知識產權局提交的專利申請。

本基于模板生長的鈣鈦礦薄膜晶體管及其制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種基于模板生長的鈣鈦礦薄膜晶體管及其制備方法，所述鈣鈦礦薄膜晶體管具有底柵頂接觸結構，其自下而上包括柵電極、絕緣層、基于模板生長的鈣鈦礦半導體有源層、對稱的源漏電極。所述的鈣鈦礦半導體層是通過在三維錫基金屬鹵化物鈣鈦礦前驅液中加入可形成低維結構的硫氰酸鹽來實現(xiàn)的；其中，硫氰酸根可降低低維結構的形成能，使其在未退火之前大量形成，而在后續(xù)的退火過程中誘導垂直于襯底的三維結構的定向生長，實現(xiàn)不同維度鈣鈦礦的依次生長。所制得的晶體管電流開關比提升約1個數(shù)量級、載流子遷移率從8.6cm2V? 1s?1提高到40.5cm2V?1s?1、亞閾值擺幅從0.33Vdec下降到0.23Vdec。本發(fā)明具有成本低廉、工藝步驟簡單等優(yōu)點。

本發(fā)明授權基于模板生長的鈣鈦礦薄膜晶體管及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種基于模板生長的鈣鈦礦薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述的鈣鈦礦薄膜晶體管包括從下至上依次排列的柵電極、絕緣層、基于模板生長的錫基金屬鹵化物鈣鈦礦半導體有源層、對稱的源電極和漏電極；其制備包括以下步驟： 步驟1：配制包括形成低維結構的硫氰酸鹽、第一離子、第二離子和有機溶劑的錫基鈣鈦礦前驅體溶液；其中，形成低維結構的硫氰酸鹽、第一離子、第二離子的摩爾比為0.1~40∶60~100∶100； 步驟2：將襯底依次放置于丙酮、去離子水、異丙醇中，分別用超聲清洗機清洗15分鐘，然后用氮氣槍吹干，隨后對襯底進行紫外臭氧或等離子體清洗的預處理；所述襯底為帶有二氧化硅或氧化鉿絕緣層的重摻雜p型硅基底； 步驟3：將步驟1所述鈣鈦礦前驅體溶液通過移液槍在步驟2清洗后的襯底上表面鋪滿，采用旋涂儀在4000~6000rpm的旋涂速度下旋涂50~70s，并將反溶劑在旋涂過程中的第8~12s滴在所述襯底上；隨后在80~120℃進行退火處理，從而得到錫基鈣鈦礦半導體有源層； 步驟4：在錫基鈣鈦礦半導體有源層上蒸鍍金屬電極，形成源電極和漏電極；制得所述基于模板生長的鈣鈦礦薄膜晶體管；其中： 所述柵電極為重摻雜p型硅； 所述絕緣層為二氧化硅和氧化鉿中的任意一種，二氧化硅的厚度為100~300nm，氧化鉿的厚度為10~30nm； 所述基于模板生長的錫基金屬鹵化物鈣鈦礦半導體有源層的厚度為10~50nm； 所述源、漏電極為金電極，厚度為30~60nm； 所述第一離子為有機正離子，其中有機正離子選自甲銨離子和甲脒離子中的至少一種； 所述第二離子為二價錫離子，濃度為0.1~0.4molL。

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