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龍圖騰網(wǎng)獲悉華中科技大學(xué)申請(qǐng)的專利一種無定形硅-鈮酸鋰混合集成電光調(diào)制器及其制備方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN118465919B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-05發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202410607075.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G02B6/132；該發(fā)明授權(quán)一種無定形硅-鈮酸鋰混合集成電光調(diào)制器及其制備方法是由曾成;李熾均;夏金松;尚成林設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2024-05-16向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種無定形硅-鈮酸鋰混合集成電光調(diào)制器及其制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明屬于光學(xué)調(diào)制器領(lǐng)域，公開了一種無定形硅?鈮酸鋰混合集成電光調(diào)制器及其制備方法，其中的電光調(diào)制器件層中的波導(dǎo)層從左至右包括依次連接的薄膜鈮酸鋰輸入波導(dǎo)、第一薄膜鈮酸鋰光分束結(jié)構(gòu)、兩個(gè)平行的無定形硅?鈮酸鋰混合光波導(dǎo)、第二薄膜鈮酸鋰光分束結(jié)構(gòu)和薄膜鈮酸鋰輸出波導(dǎo)；電光調(diào)制器件層中的金屬電極層還包括若干個(gè)T結(jié)構(gòu)電極，通過縱臂連接在金屬信號(hào)電極和金屬接地電極朝向無定形硅?鈮酸鋰混合光波導(dǎo)的側(cè)面上。本發(fā)明通過沉積有無定型硅的薄膜鈮酸鋰混合波導(dǎo)與基于T形結(jié)構(gòu)金屬電極改進(jìn)的金屬電極層適配，將光波信號(hào)的群折射率提高進(jìn)而與微波信號(hào)的有效折射率相匹配，使得集成電光調(diào)制器具備大帶寬低驅(qū)動(dòng)電壓的性能。

本發(fā)明授權(quán)一種無定形硅-鈮酸鋰混合集成電光調(diào)制器及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種無定形硅-鈮酸鋰混合集成電光調(diào)制器，其特征在于，所述集成電光調(diào)制器自下而上包括硅襯底層（1）、埋氧層（2）、電光調(diào)制器件層； 所述電光調(diào)制器件層自下而上依次包括波導(dǎo)層、緩沖層（6）和金屬電極層； 所述波導(dǎo)層從左至右包括依次連接的薄膜鈮酸鋰輸入波導(dǎo)（7）、第一薄膜鈮酸鋰光分束結(jié)構(gòu)、兩個(gè)平行的無定形硅-鈮酸鋰混合光波導(dǎo)（11）、第二薄膜鈮酸鋰光分束結(jié)構(gòu)和薄膜鈮酸鋰輸出波導(dǎo)（8），且所述第一薄膜鈮酸鋰光分束結(jié)構(gòu)和所述第二薄膜鈮酸鋰光分束結(jié)構(gòu)均通過薄膜鈮酸鋰波導(dǎo)（4）與所述兩個(gè)平行的無定形硅-鈮酸鋰混合光波導(dǎo)（11）相連；其中，所述無定形硅-鈮酸鋰混合光波導(dǎo)（11）為在薄膜鈮酸鋰波導(dǎo)上沉積有厚度為30-70nm的無定型硅形成；所述波導(dǎo)層還包括兩個(gè)無定形硅楔形波導(dǎo)光學(xué)模式轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)（10），分別設(shè)置在所述無定形硅-鈮酸鋰混合光波導(dǎo)（11）的輸入端和輸出端，且與所述薄膜鈮酸鋰波導(dǎo)（4）相連； 所述金屬電極層包括行波信號(hào)電極（12）、兩個(gè)行波接地電極（13）和若干個(gè)T結(jié)構(gòu)電極（14）；所述行波信號(hào)電極（12）在所述波導(dǎo)層上的投影的位置在兩個(gè)平行的無定形硅-鈮酸鋰混合光波導(dǎo)（11）之間；所述兩個(gè)行波接地電極（13）在所述波導(dǎo)層上的投影的位置分別在兩個(gè)平行的無定形硅-鈮酸鋰混合光波導(dǎo)（11）的外側(cè)；所述T結(jié)構(gòu)電極通過縱臂連接在所述行波信號(hào)電極（12）和所述行波接地電極（13）朝向所述無定形硅-鈮酸鋰混合光波導(dǎo)（11）的側(cè)面上。

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