三星電子株式會社崔允榮獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉三星電子株式會社申請的專利形成電容器、半導體器件和精細圖案的方法和半導體器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111740012B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010219974.4，技術領域涉及：H10D1/68；該發明授權形成電容器、半導體器件和精細圖案的方法和半導體器件是由崔允榮;林晟洙;姜秉茂;具省模;樸世真;裵珍宇設計研發完成，并于2020-03-25向國家知識產權局提交的專利申請。
本形成電容器、半導體器件和精細圖案的方法和半導體器件在說明書摘要公布了：本發明提供了形成電容器的方法、形成半導體器件的方法、形成精細圖案的方法和半導體器件，該半導體器件包括：晶體管，在包括第一區域和第二區域的半導體襯底上，并且具有柵極結構和雜質區域；第一層間絕緣膜，覆蓋晶體管并且具有電連接到雜質區域的接觸插塞；電容器，包括在第二區域中的第一層間絕緣膜上且電連接到接觸插塞的下電極、覆蓋下電極的表面的電介質膜、和在電介質膜上的上電極；以及支撐層，與下電極的上部側表面接觸以支撐下電極，并且延伸到第一區域，其中支撐層在第一區域和第二區域之間具有臺階。
本發明授權形成電容器、半導體器件和精細圖案的方法和半導體器件在權利要求書中公布了：1.一種形成電容器的方法，該方法包括： 在包括第一區域和第二區域的半導體襯底上形成模層和支撐材料層； 在所述第二區域中形成用于圖案化所述模層和所述支撐材料層的掩模圖案； 通過使用所述掩模圖案，在所述第二區域中形成穿過所述模層和所述支撐材料層暴露所述半導體襯底的上表面的凹陷圖案； 形成用于為所述掩模圖案的表面和所述凹陷圖案的內表面做襯里的保護膜； 去除所述保護膜的一部分，以暴露所述掩模圖案的至少上表面； 通過干清洗方法去除所述掩模圖案； 去除所述保護膜的剩余部分； 在所述凹陷圖案中形成下電極； 去除所述模層； 在所述下電極的表面上形成電介質膜；以及 在所述電介質膜上形成上電極， 其中所述掩模圖案的圖案密度在所述第二區域中高于所述第一區域中所述掩模圖案的圖案密度。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人三星電子株式會社，其通訊地址為：韓國京畿道；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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