中芯集成電路(寧波)有限公司桂珞獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中芯集成電路(寧波)有限公司申請的專利移動機構及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114275733B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011040494.8，技術領域涉及：B81C1/00；該發明授權移動機構及其形成方法是由桂珞;韓鳳芹;王邦旭;趙強;石丹丹;李萍;肖揚設計研發完成，并于2020-09-28向國家知識產權局提交的專利申請。
本移動機構及其形成方法在說明書摘要公布了：一種移動機構及其形成方法，形成方法包括：提供固定平臺和位于所述固定平臺上的內部結構；形成保形覆蓋所述內部結構和固定平臺的犧牲層；形成保形覆蓋所述犧牲層的弓形材料層；刻蝕所述弓形材料層，形成弓形電極，所述弓形電極包括與所述內部結構側壁相對的側部電極、與固定平臺相對的底部電極，所述底部電極具有第一開口，所述第一開口暴露出部分固定平臺上的所述犧牲層；去除所述犧牲層。綜上，所述第一開口能夠降低所述犧牲層的去除難度，加快犧牲層的去除速率，使得犧牲層不易殘留，提高移動機構的形成質量和單位時間內的產量。
本發明授權移動機構及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種移動機構的形成方法，其特征在于，包括： 提供固定平臺和位于所述固定平臺上的內部結構； 形成保形覆蓋所述內部結構和固定平臺的犧牲層，所述犧牲層位于所述固定平臺的表面以及內部結構的頂部和側壁的表面； 形成保形覆蓋所述犧牲層的弓形材料層； 刻蝕所述弓形材料層，形成弓形電極，所述弓形電極包括與所述內部結構側壁相對的側部電極、與固定平臺相對的底部電極，所述底部電極具有第一開口，所述第一開口暴露出部分固定平臺上的所述犧牲層； 去除所述犧牲層。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯集成電路(寧波)有限公司，其通訊地址為：315800 浙江省寧波市北侖區小港街道安居路335號3幢、4幢、5幢；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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