臺灣積體電路制造股份有限公司賴德洋獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利偶極設計高K柵極電介質及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113257898B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110029535.1，技術領域涉及：H10D64/27；該發明授權偶極設計高K柵極電介質及其形成方法是由賴德洋;彭峻彥;楊世海;徐志安設計研發完成，并于2021-01-11向國家知識產權局提交的專利申請。
本偶極設計高K柵極電介質及其形成方法在說明書摘要公布了：本公開涉及偶極設計高K柵極電介質及其形成方法。一種方法，包括：在第一半導體區域上形成氧化物層，以及在氧化物層之上沉積第一高k電介質層。第一高k電介質層由第一高k電介質材料形成。該方法還包括在第一高k電介質層之上沉積第二高k電介質層，其中，第二高k電介質層由不同于第一高k電介質材料的第二高k電介質材料形成，在從第一高k電介質層和第二高k電介質層中選擇的層之上并與該層相接觸地沉積偶極膜，執行退火工藝以將偶極膜中的偶極摻雜劑驅入到該層中，去除偶極膜，以及在第二高k電介質層之上形成柵極電極。
本發明授權偶極設計高K柵極電介質及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種用于形成半導體器件的方法，包括： 在第一半導體區域上形成第一氧化物層； 在所述第一氧化物層之上沉積第一高k電介質層，其中，所述第一高k電介質層由第一高k電介質材料形成； 在所述第一高k電介質層之上沉積第二高k電介質層，其中，所述第二高k電介質層由不同于所述第一高k電介質材料的第二高k電介質材料形成； 在所述第二高k電介質層之上并與所述第二高k電介質層相接觸地沉積第一偶極膜； 執行第一退火工藝以將所述第一偶極膜中的第一偶極摻雜劑驅入到所述第二高k電介質層中； 去除所述第一偶極膜；以及 在所述第二高k電介質層之上形成第一柵極電極； 其中所述方法還包括： 在沉積所述第二高k電介質層之前，在所述第一高k電介質層之上并與所述第一高k電介質層相接觸地沉積第二偶極膜； 在沉積所述第二偶極膜之后，執行第二退火工藝以將所述第二偶極膜中的第二偶極摻雜劑驅入到所述第一高k電介質層中； 在執行了所述第二退火工藝之后，去除所述第二偶極膜。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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