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龍圖騰網(wǎng)獲悉北京燕東微電子科技有限公司申請的專利半導(dǎo)體器件及其制造方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN111146291B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-02發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號(hào)為：201911416625.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/66；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件及其制造方法是由周源;張小麟;李靜怡;王超;張志文;朱林迪;袁波;劉恒;梁維佳設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2019-12-31向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體器件及其制造方法在說明書摘要公布了：本申請公開了一種半導(dǎo)體器件及其制造方法，該半導(dǎo)體器件包括：襯底；外延層，位于襯底的表面上；體區(qū)，自外延層的表面延伸至外延層中；摻雜區(qū)，自體區(qū)表面延伸至體區(qū)中；柵疊層，位于體區(qū)的表面；以及導(dǎo)電通道，包括穿過體區(qū)并至少延伸至外延層中的溝槽以及填充在溝槽內(nèi)的導(dǎo)電材料，其中，摻雜區(qū)與導(dǎo)電通道之間形成溝道，襯底與摻雜區(qū)至少通過導(dǎo)電通道和溝道導(dǎo)通。由于該半導(dǎo)體器件的溝槽不再用于制作溝槽柵，而是用于制作導(dǎo)電通道，因此降低了對溝槽刻蝕質(zhì)量的要求，從而降低了刻蝕難度；又由于該半導(dǎo)體器件的導(dǎo)電通道至少延伸至外延層中，因此在器件導(dǎo)通后，至少部分外延層不會(huì)再作為導(dǎo)通電阻的組成部分，從而降低了導(dǎo)通電阻。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件及其制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括： 襯底； 外延層，位于所述襯底的表面上； 體區(qū)，自所述外延層的表面延伸至所述外延層中，且所述體區(qū)的結(jié)深小于外延層的厚度； 摻雜區(qū)，自所述體區(qū)表面延伸至所述體區(qū)中； 柵疊層，包括柵介質(zhì)層和柵極導(dǎo)體層，所述柵介質(zhì)層覆蓋所述體區(qū)的表面，所述柵極導(dǎo)體層位于所述柵介質(zhì)層上；以及 導(dǎo)電通道，包括穿過所述體區(qū)并至少延伸至所述外延層中的溝槽以及填充在所述溝槽內(nèi)的導(dǎo)電材料，所述導(dǎo)電通道與所述摻雜區(qū)分隔，其中，所述體區(qū)中摻雜雜質(zhì)的劑量不大于E14cm-2，并且所述導(dǎo)電通道具有不低于E18cm-3的雜質(zhì)濃度， 其中，所述體區(qū)為第一摻雜類型，所述襯底、所述外延層、所述導(dǎo)電通道以及所述摻雜區(qū)為第二摻雜類型，所述第一摻雜類型與所述第二摻雜類型相反， 在垂直于所述體區(qū)的厚度方向的截面上，多個(gè)所述摻雜區(qū)呈陣列排布在所述體區(qū)中，每個(gè)所述摻雜區(qū)被所述導(dǎo)電通道包圍，其中，每個(gè)所述摻雜區(qū)與所述導(dǎo)電通道之間的溝道呈回字形； 所述柵極導(dǎo)體層接收控制電壓，所述襯底與所述摻雜區(qū)至少通過所述導(dǎo)電通道、所述摻雜區(qū)與所述導(dǎo)電通道之間的溝道導(dǎo)通。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人北京燕東微電子科技有限公司，其通訊地址為：100176 北京市大興區(qū)北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)文昌大道8號(hào)1幢4層4D15；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。