北京京東方技術(shù)開發(fā)有限公司;京東方科技集團股份有限公司李必奇獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉北京京東方技術(shù)開發(fā)有限公司;京東方科技集團股份有限公司申請的專利陣列基板和顯示裝置獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN115561940B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:202110749374.3,技術(shù)領域涉及:G02F1/1362;該發(fā)明授權(quán)陣列基板和顯示裝置是由李必奇;先建波;江亮亮;周茂秀;程敏設計研發(fā)完成,并于2021-07-02向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本陣列基板和顯示裝置在說明書摘要公布了:一種陣列基板和顯示裝置。該陣列基板包括數(shù)據(jù)線和信號線,各子像素單元包括像素電極,像素電極與數(shù)據(jù)線之間的距離為第一距離D1,像素電極與信號線之間的距離為第二距離D2,像素電極靠近數(shù)據(jù)線的邊長為L1,靠近信號線的邊長為L2;各子像素單元還包括驅(qū)動晶體管,驅(qū)動晶體管的源極與數(shù)據(jù)線和信號線中的一個相連,漏極與像素電極相連;驅(qū)動晶體管的漏極與源極的距離為第三距離D3,漏極與數(shù)據(jù)線和信號線中的另一個的距離為第四距離D4,源極在第二方向上的尺寸為L3,漏極在第二方向上的尺寸為L4,E1*L1D1+E2*L3D3和E1*L2D2+E2*L4D4的比值范圍為0.9?1.1,從而可有效避免灰階串擾不良。
本發(fā)明授權(quán)陣列基板和顯示裝置在權(quán)利要求書中公布了:1.一種陣列基板,包括: 襯底基板; 多個子像素單元,位于所述襯底基板上,且沿第一方向和第二方向陣列設置,以形成在所述第一方向上延伸的子像素行和在所述第二方向上延伸的子像素列; 柵線,位于所述襯底基板上,沿所述第一方向延伸并被配置為給所述子像素行提供柵極信號; 數(shù)據(jù)線,位于所述襯底基板上,沿所述第二方向延伸;以及 信號線,位于所述襯底基板上,沿所述第二方向延伸,所述數(shù)據(jù)線和所述信號線同層設置; 其中,所述數(shù)據(jù)線和所述信號線分別位于所述子像素列在所述第一方向上的兩側(cè), 各所述子像素單元包括像素電極,所述像素電極與所述數(shù)據(jù)線之間的距離為第一距離D1,所述像素電極與所述信號線之間的距離為第二距離D2,所述像素電極靠近所述數(shù)據(jù)線的邊長為L1,所述像素電極靠近所述信號線的邊長為L2, 各所述子像素單元還包括驅(qū)動晶體管,所述驅(qū)動晶體管包括源極和漏極,所述數(shù)據(jù)線和所述信號線中的一個與所述源極相連,所述漏極與所述像素電極相連, 所述漏極與所述源極在所述第一方向上的距離為第三距離D3,所述數(shù)據(jù)線和所述信號線中的另一個與所述漏極的距離為第四距離D4,所述源極在所述第二方向上的尺寸為L3,所述漏極在所述第二方向上的尺寸為L4, 其中,E1*L1D1+E2*L3D3和E1*L2D2+E2*L4D4的比值范圍為0.9-1.1,E1為所述像素電極與所述數(shù)據(jù)線或所述信號線之間的膜層的介電常數(shù),E2為所述信號線與所述源極或所述漏極之間的膜層的介電常數(shù)。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人北京京東方技術(shù)開發(fā)有限公司;京東方科技集團股份有限公司,其通訊地址為:100176 北京市北京經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)地澤路9號1幢407室;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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