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龍圖騰網獲悉QORVO美國公司申請的專利RF半導體裝置和其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113614895B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202080023358.X，技術領域涉及：H01L21/56；該發明授權RF半導體裝置和其制造方法是由朱利奧·C·科斯塔;邁克爾·卡羅爾;菲利普·W·梅森;小梅里爾·阿爾貝特·哈徹設計研發完成，并于2020-01-22向國家知識產權局提交的專利申請。

本RF半導體裝置和其制造方法在說明書摘要公布了：本公開涉及一種射頻裝置，該射頻裝置包含模制裝置管芯和位于模制裝置管芯之下的多層重新分布結構。模制裝置管芯包含裝置區域、阻擋層和第一模制化合物，裝置區域具有后段制程BEOL部分和位于BEOL部分之上的前段制程FEOL部分。FEOL部分包含隔離區段和有源層，有源層被隔離區段圍繞。由氮化硅形成的阻擋層位于有源層之上并且位于隔離區段的頂表面之上。第一模制化合物位于阻擋層之上。在本文中，在第一模制化合物與有源層之間不存在硅晶體。多層重新分布結構包含多個凸點結構，多個凸點結構位于多層重新分布結構的底部處并且電耦接到模制裝置管芯的FEOL部分。

本發明授權RF半導體裝置和其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種射頻裝置，其包括： 模制裝置管芯，所述模制裝置管芯包括裝置區域、阻擋層和第一模制化合物，其中： 所述裝置區域包含前段制程部分和位于所述前段制程部分之下的后段制程部分，其中所述前段制程部分包括有源層和隔離區段，所述隔離區段圍繞所述有源層并且豎直延伸超過所述有源層的頂表面，以在所述隔離區段內和所述有源層之上限定開口； 鈍化層，位于所述有源層的所述頂表面之上并且位于所述開口內，其中，所述鈍化層由二氧化硅形成； 所述阻擋層連續地覆蓋所述開口內的暴露表面，直接位于所述鈍化層之上，并且位于所述前段制程部分的所述隔離區段的頂表面之上，其中所述阻擋層由氮化硅形成；以及 所述第一模制化合物位于所述阻擋層之上，其中在所述第一模制化合物與所述有源層之間不存在不具有鍺、氮或氧含量的硅晶體；以及 多層重新分布結構，所述多層重新分布結構形成于所述模制裝置管芯的所述后段制程部分之下，其中所述多層重新分布結構包括多個凸點結構，所述多個凸點結構位于所述多層重新分布結構的底表面上并且電耦接到所述模制裝置管芯的所述前段制程部分。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人QORVO美國公司，其通訊地址為：美國北卡羅萊納州；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。