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龍圖騰網獲悉長鑫存儲技術有限公司申請的專利半導體結構的制造方法和半導體結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115602607B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110768540.4，技術領域涉及：H01L21/768；該發明授權半導體結構的制造方法和半導體結構是由呂游設計研發完成，并于2021-07-07向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體結構的制造方法和半導體結構在說明書摘要公布了：本發明實施例提供一種半導體結構的制造方法和半導體結構，半導體結構的制造方法包括：提供基底，基底內具有第一接觸層和第二接觸層；形成初始電連接層；形成下層掩膜層，下層掩膜層包括相鄰的第一圖案區和第二圖案區；在基底的上表面，兩個第一接觸層的正投影落入一個第一圖案區的正投影內，一個第二接觸層的正投影落入一個第二圖案區的正投影內；圖案化第一圖案區以形成兩個相互分立的第一子圖案區；刻蝕初始電連接層，以形成相互分立的第一電連接層和第二電連接層，第一電連接層對應第一子圖案區，第二電連接層對應第二圖案區。本發明實施例能夠降低半導體結構內部發生短路的風險。

本發明授權半導體結構的制造方法和半導體結構在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構的制造方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底內具有相互分立的至少兩個第一接觸層和至少一個第二接觸層； 形成初始電連接層，所述初始電連接層與所述第一接觸層和所述第二接觸層電連接； 在初始電連接層上形成下層掩膜層，所述下層掩膜層包括相互分立的至少一個第一圖案區和至少一個第二圖案區，所述第一圖案區與所述第二圖案區相鄰；在所述基底的上表面一個所述第二接觸層的正投影落入一個所述第二圖案區的正投影內； 圖案化所述下層掩膜層的第一圖案區，以形成相互分立的至少兩個第一子圖案區，其中，一個所述第一子圖案區位于所述第二圖案區與另一所述第一子圖案區之間；在所述基底的上表面，一個所述第一接觸層的正投影落入一個所述第一子圖案區的正投影內； 以所述下層掩膜層為掩膜，刻蝕所述初始電連接層以形成相互分立的至少兩個第一電連接層和至少一個第二電連接層，每一所述第一電連接層與每一所述第一子圖案區一一對應且電連接到對應的所述第一接觸層，每一所述第二電連接層與每一所述第二圖案區一一對應且電連接到對應的所述第二接觸層。

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