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龍圖騰網(wǎng)獲悉南亞科技股份有限公司申請(qǐng)的專利半導(dǎo)體元件及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114497043B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202110923104.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10B12/00；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體元件及其制備方法是由呂增富設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-08-12向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本半導(dǎo)體元件及其制備方法在說明書摘要公布了：本公開提供一種半導(dǎo)體元件及其制備方法。該半導(dǎo)體元件具有一基底、一存儲(chǔ)電容器、一存取晶體管以及至少一導(dǎo)電特征，而該至少一導(dǎo)電特征電性耦接該存儲(chǔ)電容器到該存取晶體管。該基底具有至少一絕緣特征，該至少一絕緣特征界定出多個(gè)主動(dòng)區(qū)，其中，該存取晶體管的多個(gè)摻雜區(qū)位在該主動(dòng)區(qū)中。該存儲(chǔ)電容器設(shè)置在該基底上，以及該導(dǎo)電特征從該存儲(chǔ)電容器延伸進(jìn)入該基底設(shè)置有其中一摻雜區(qū)的一部分處。因此，增加該存取晶體管與該導(dǎo)電特征之間的一接觸面積，且提升該緊密的半導(dǎo)體元件的一操作速度。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體元件及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體元件，包括： 一基底，包括多個(gè)絕緣特征，該多個(gè)絕緣特征是界定出多個(gè)主動(dòng)區(qū)； 一存儲(chǔ)電容器，位在該基底上； 一存取晶體管，包括多個(gè)摻雜區(qū)，該多個(gè)摻雜區(qū)位在該主動(dòng)區(qū)中；以及 至少一導(dǎo)電特征，從該存儲(chǔ)電容器延伸進(jìn)入到該基底，以用于電性耦接該存儲(chǔ)電容器到該存取晶體管， 其中該導(dǎo)電特征包括一下部以及一上部，該下部位在該基底中，該上部插置在該基底與該存儲(chǔ)電容器之間，該下部具有一第一臨界尺寸，以及該上部具有一第二臨界尺寸，該第二臨界尺寸大于該第一臨界尺寸；其中該基底中的該導(dǎo)電特征的該下部不與該基底中的該多個(gè)絕緣特征中的任何一個(gè)接觸。

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