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龍圖騰網(wǎng)獲悉瑞礱科技股份有限公司申請的專利增強型III-V族半導(dǎo)體元件與其制造方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115377215B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202111326765.0，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/47；該發(fā)明授權(quán)增強型III-V族半導(dǎo)體元件與其制造方法是由邱顯欽;王祥駿;邱昭瑋;何焱騰設(shè)計研發(fā)完成，并于2021-11-10向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本增強型III-V族半導(dǎo)體元件與其制造方法在說明書摘要公布了：一種增強型III?V族半導(dǎo)體元件及其制造方法，其包括：基板；形成于基板之上的緩沖層；形成于緩沖層的GaN的通道層；形成于通道層之上的AlGaN的阻障層；形成于阻障層之上的AlGaN的蝕刻停止層，其化學(xué)組成式為AlxGa1?xN，其中0.4＝x＝0.7，且AlGaN的蝕刻停止層對應(yīng)于源極與漏極區(qū)域的厚度小于AlGaN的蝕刻停止層對應(yīng)于柵極區(qū)域的厚度；形成于所述AlGaN的蝕刻停止層的柵極區(qū)域的pGaN層；以及分別形成于所述AlGaN的蝕刻停止層的源極區(qū)域與漏極區(qū)域上的源極與漏極。本發(fā)明實施例提供了增強型III?V族半導(dǎo)體元件具有良好晶格匹配、高元件崩潰電壓且動態(tài)電阻晶體管特性佳等優(yōu)點。

本發(fā)明授權(quán)增強型III-V族半導(dǎo)體元件與其制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種增強型III-V族半導(dǎo)體元件，包括： 一基板108； 形成于所述基板108之上的一緩沖層107； 形成于所述緩沖層107的一GaN的通道層106； 形成于所述通道層106之上的一AlGaN的阻障層105； 形成于所述阻障層105之上的一AlGaN的蝕刻停止層104A，其化學(xué)組成式為AlxGa1-xN，其中0.4＝x＝0.7，且所述AlGaN的蝕刻停止層104A對應(yīng)于源極與漏極區(qū)域的厚度小于所述AlGaN的蝕刻停止層104A對應(yīng)于柵極區(qū)域的厚度，且所述AlGaN的蝕刻停止層104A的蝕刻損耗原厚度為10％至90％； 形成于所述AlGaN的蝕刻停止層104A的柵極區(qū)域的一pGaN層103，其中所述AlGaN的蝕刻停止層104A對應(yīng)于所述pGaN層103的厚度大于所述AlGaN的蝕刻停止層104A對應(yīng)于所述pGaN層103至源極區(qū)域之間的厚度以及大于所述AlGaN的蝕刻停止層104A對應(yīng)于所述pGaN層103至漏極區(qū)域的厚度；以及 分別形成于所述AlGaN的蝕刻停止層104A的源極區(qū)域與漏極區(qū)域上的一源極100與一漏極101。

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