買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網獲悉西安電子科技大學申請的專利一種用于制作GaN HEMT的橫向金剛石/GaN/金剛石襯底及制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114361013B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111387283.6，技術領域涉及：H01L21/18；該發明授權一種用于制作GaN HEMT的橫向金剛石/GaN/金剛石襯底及制備方法是由許晟瑞;王心顥;贠博祥;盧灝;劉旭;徐爽;張進成;張金風;郝躍設計研發完成，并于2021-11-22向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種用于制作GaN HEMT的橫向金剛石/GaN/金剛石襯底及制備方法在說明書摘要公布了：本發明涉及一種用于制作GaNHEMT的橫向金剛石GaN金剛石襯底及制備方法，方法包括：獲取兩片多晶金剛石，通過拋光將多晶金剛石的其中一面拋光成光滑面；獲取GaN單晶晶片，通過拋光將GaN單晶晶片的兩面均拋光成光滑面，其中，GaN單晶晶片的光滑面為非極性面；利用低溫鍵合工藝將兩片多晶金剛石的光滑面分別與GaN單晶晶片的兩個光滑面進行鍵合，以得到橫向多晶金剛石GaN多晶金剛石襯底。本發明改善了傳統GaN外延襯底的散熱能力，并能提高外延GaN的質量，并進一步提高了器件的工作壽命和穩定性，從而為器件在大功率下的工作奠定了基礎，可用于制作高頻、大功率GaN基HEMT器件。

本發明授權一種用于制作GaN HEMT的橫向金剛石/GaN/金剛石襯底及制備方法在權利要求書中公布了：1.一種用于制作GaNHEMT的橫向金剛石GaN金剛石襯底的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： 獲取兩片多晶金剛石，通過拋光將所述多晶金剛石的其中一面拋光成光滑面； 獲取GaN單晶晶片，通過拋光將所述GaN單晶晶片的兩面均拋光成光滑面，其中，所述GaN單晶晶片是非極性單晶晶片，所述GaN單晶晶片的光滑面為非極性面； 使用CVD工藝，分別在所述GaN單晶晶片和所述多晶金剛石的光滑面上淀積SiN鍵合層； 控制溫度為150℃以下，在氣壓低于10-5Pa的低真空度下，施加1-100N壓力，持續時間為1-10min，以使得所述GaN單晶晶片的兩個光滑面分別與兩個多晶金剛石的光滑面進行鍵合； 在300-500℃溫度條件下，對鍵合處理后的所述GaN單晶晶片和所述多晶金剛石進行熱退火處理，其中，熱退火時間為10-30min； 使用激光切割工藝對熱退火處理后的所述GaN單晶晶片和所述多晶金剛石進行縱向切片，以得到若干切片，其中，切片厚度為1-10mm； 將所述切片的單面或雙面機械拋光至鏡面，以得到橫向多晶金剛石GaN多晶金剛石襯底，所述橫向金剛石GaN金剛石襯底包括：多晶金剛石1、SiN鍵合層2、GaN單晶晶片3、SiN鍵合層4、多晶金剛石5，多晶金剛石1、SiN鍵合層2、GaN單晶晶片3、SiN鍵合層4、多晶金剛5自左向右依次排布；所述橫向金剛石GaN金剛石襯底的表面的GaN為極性面，并且，所述橫向金剛石GaN金剛石襯底的兩面均用于進行外延生長，以分別實現Ga面或N面外延。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人西安電子科技大學，其通訊地址為：710000 陜西省西安市雁塔區太白南路2號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。