天合光能股份有限公司王子港獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉天合光能股份有限公司申請的專利一種太陽能電池及其制備方法及應(yīng)用獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN114551609B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:202111662821.8,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H10F77/20;該發(fā)明授權(quán)一種太陽能電池及其制備方法及應(yīng)用是由王子港;張學(xué)玲;馮志強;陳奕峰設(shè)計研發(fā)完成,并于2021-12-31向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本一種太陽能電池及其制備方法及應(yīng)用在說明書摘要公布了:本發(fā)明提供一種太陽能電池及其制備方法及應(yīng)用。所述太陽能電池包括N型硅片層,所述N型硅片層正面依次層疊硼結(jié)層、氧化鋁層和第一氮化硅層,所述N型硅片層背面依次層疊氧化硅層、Poly?Si層和第二氮化硅層;第一柵線貫通所述第一氮化硅層、氧化鋁層和硼結(jié)層與所述N型硅片層的正表面接觸,所述第一柵線包括依次層疊的第一種子層和第一金屬層;第二柵線貫通所述氧化硅層、Poly?Si層和第二氮化硅層與所述N型硅片層的負(fù)表面接觸,所述第二柵線包括依次層疊的第二種子層和第二金屬層。本發(fā)明的制備方法可以有效的提升柵線與硅片的結(jié)合力,滿足組件的拉脫力及可靠性要求。
本發(fā)明授權(quán)一種太陽能電池及其制備方法及應(yīng)用在權(quán)利要求書中公布了:1.一種太陽能電池,其特征在于,所述太陽能電池包括N型硅片層,所述N型硅片層正面依次層疊硼結(jié)層、氧化鋁層和第一氮化硅層,所述N型硅片層背面依次層疊氧化硅層、Poly-Si層和第二氮化硅層; 第一柵線貫通所述第一氮化硅層、氧化鋁層和硼結(jié)層與所述N型硅片層的正表面接觸,所述第一柵線包括依次層疊的第一種子層和第一金屬層;所述第一種子層包括第一金屬鉑層;所述第一種子層和所述N型硅片層的正表面接觸; 第二柵線貫通所述氧化硅層、Poly-Si層和第二氮化硅層與所述N型硅片層的負(fù)表面接觸,所述第二柵線包括依次層疊的第二種子層和第二金屬層;所述第二種子層包括第二金屬鉑層;所述第二種子層和所述N型硅片層的負(fù)表面接觸。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人天合光能股份有限公司,其通訊地址為:213031 江蘇省常州市新北區(qū)天合光伏產(chǎn)業(yè)園天合路2號;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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