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龍圖騰網(wǎng)獲悉上海芯導(dǎo)電子科技股份有限公司申請(qǐng)的專(zhuān)利MOSFET器件的制作方法、及其器件、設(shè)備的制作方法及其設(shè)備獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN115763548B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?專(zhuān)利號(hào)為：202211464258.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D64/27；該發(fā)明授權(quán)MOSFET器件的制作方法、及其器件、設(shè)備的制作方法及其設(shè)備是由李艷旭;歐新華;袁瓊;陳敏;符志崗;孫春明設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-11-22向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專(zhuān)利申請(qǐng)。

本MOSFET器件的制作方法、及其器件、設(shè)備的制作方法及其設(shè)備在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本發(fā)明提供了一種MOSFET器件的制作方法，包括：形成具有柵極溝槽的MOSFET器件結(jié)構(gòu)；所述MOSFET器件結(jié)構(gòu)包括襯底，以及形成于所述襯底上的外延層；場(chǎng)氧層，形成于所述柵極溝槽的內(nèi)壁以及所述柵極溝槽外的所述外延層的表面上；形成屏蔽柵極；其中，所述屏蔽柵極頂端是平整的表面。形成柵間氧化層以及柵極；所述柵間氧化層形成于所述屏蔽柵極的平整的表面上，所述柵極形成于所述柵間氧化層上；在所述柵極周?chē)乃鐾庋訉又幸来涡纬审w區(qū)離子注入層、源區(qū)離子注入層，在所述柵極的頂端依次形成層間介質(zhì)層和金屬鋁層，以及形成接觸孔。該技術(shù)方案解決了如何制作平整表面的屏蔽柵極的問(wèn)題，實(shí)現(xiàn)了保證器件具有更好的電性的技術(shù)效果。

本發(fā)明授權(quán)MOSFET器件的制作方法、及其器件、設(shè)備的制作方法及其設(shè)備在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種MOSFET器件的制作方法，其特征在于，包括：形成具有柵極溝槽的MOSFET器件結(jié)構(gòu)；所述MOSFET器件結(jié)構(gòu)包括襯底，以及形成于所述襯底上的外延層；所述柵極溝槽形成于所述外延層中；場(chǎng)氧層，形成于所述柵極溝槽的內(nèi)壁以及所述柵極溝槽外的所述外延層的表面上； 形成屏蔽柵極，所述屏蔽柵極形成于所述柵極溝槽的底部；所述場(chǎng)氧層形成于所述屏蔽柵極與所述外延層之間；其中，所述屏蔽柵極頂端是平整的表面； 形成柵間氧化層以及柵極；所述柵間氧化層形成于所述屏蔽柵極的平整的表面上，所述柵極形成于所述柵間氧化層上，且填滿(mǎn)所述柵極溝槽的頂端； 在所述柵極周?chē)乃鐾庋訉又幸来涡纬审w區(qū)離子注入層、源區(qū)離子注入層，在所述柵極的頂端依次形成層間介質(zhì)層和金屬鋁層，以及形成接觸孔；所述接觸孔貫穿所述體區(qū)離子注入層、所述源區(qū)離子注入層、所述層間介質(zhì)層以及所述金屬鋁層的遠(yuǎn)離所述柵極的邊緣； 其中，形成屏蔽柵極具體包括： 在所述柵極溝槽中沉積柵極材料；其中，所述柵極溝槽中包括一縫隙； 在所述縫隙中形成氧化層，具體方式是：對(duì)所述柵極溝槽中的柵極材料進(jìn)行低溫?zé)嵫趸允沟盟隹p隙中形成所述氧化層，以填滿(mǎn)所述縫隙； 去除所述柵極溝槽頂端的柵極材料以及所述柵極溝槽外的外延層表面的柵極材料，以在所述柵極溝槽的底部形成所述屏蔽柵極。

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