復旦大學孟佳琳獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！
龍圖騰網獲悉復旦大學申請的專利一種柔性反鐵電神經形態晶體管及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115867120B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211489471.4，技術領域涉及：H10N70/20；該發明授權一種柔性反鐵電神經形態晶體管及其制備方法是由孟佳琳;王天宇;李振海;陳琳;孫清清;張衛設計研發完成，并于2022-11-25向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種柔性反鐵電神經形態晶體管及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開一種柔性反鐵電神經形態晶體管及其制備方法。該柔性反鐵電神經形態晶體管包括：柔性襯底；柵電極薄膜，形成在所述柔性襯底上；過渡層，其為高k介質材料，形成在所述柵電極薄膜上；反鐵電性功能薄膜疊層，由多重鉿基鐵電薄膜和反鐵電誘導層交疊而成，形成在所述過渡層上；硅納米線，其表面包覆有二維半導體薄膜和二維鐵電薄膜，相互間隔且平行排列，形成在所述反鐵電性功能薄膜疊層上；源電極和漏電極，形成在各所述納米線的兩側。
本發明授權一種柔性反鐵電神經形態晶體管及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種柔性反鐵電神經形態晶體管，其特征在于， 包括： 柔性襯底； 柵電極薄膜，形成在所述柔性襯底上； 過渡層，其為高k介質材料，形成在所述柵電極薄膜上； 反鐵電性功能薄膜疊層，由多重鉿基鐵電薄膜和反鐵電誘導層交疊而成，形成在所述過渡層上； 多個硅納米線，各硅納米線的表面包覆有二維半導體薄膜和二維鐵電薄膜，多個硅納米線相互間隔且平行排列，形成在所述反鐵電性功能薄膜疊層上； 源電極和漏電極，形成在各所述硅納米線的兩側， 其中，所述二維半導體薄膜為MoS2、HfS2、PtS2、WS2、MoSe2、HfSe2、PtSe2、WSe2、MoTe2、HfTe2、PtTe2或WTe2。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人復旦大學，其通訊地址為：200433 上海市楊浦區邯鄲路220號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
免責聲明
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
開放平臺
擔保交易
惠及多方
會員特惠
專屬平臺
適合多方
數據共享
功能齊全
皖公網安備 34010402703815號