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龍圖騰網獲悉湖北億緯動力有限公司申請的專利一種熱阻、開關電路溫升確定方法、設備及存儲介質獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115754658B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211492535.6，技術領域涉及：G01R31/26；該發明授權一種熱阻、開關電路溫升確定方法、設備及存儲介質是由肖鈺琪設計研發完成，并于2022-11-25向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種熱阻、開關電路溫升確定方法、設備及存儲介質在說明書摘要公布了：本發明公開了一種熱阻、開關電路溫升確定方法、設備及存儲介質。熱阻確定方法包括：獲取被測MOS器件穩定工作時第一溫度；獲取環境溫度，獲取連接于被測MOS器件的阻性器件在環境溫度下的第一阻值；獲取被測MOS器件的導通電阻?溫度曲線，通過導通電阻?溫度曲線確定被測MOS器件在第一溫度下的第二阻值；采用第一溫度、環境溫度，通過導通電阻?溫度曲線確定阻性器件溫升系數；通過第一阻值以及阻性器件溫升系數確定阻性器件在第一溫度下的第三阻值；獲取被測MOS器件的測試電流，采用測試電流、第二阻值以及第三阻值確定測試功率；通過測試功率、第一溫度以及環境溫度確定被測MOS器件的熱阻。

本發明授權一種熱阻、開關電路溫升確定方法、設備及存儲介質在權利要求書中公布了：1.一種MOS器件熱阻確定方法，其特征在于，包括： 獲取被測MOS器件穩定工作時第一溫度，第一溫度為被測MOS器件在指定測試電流下，處于穩定工作狀態時的結溫或表面溫度； 獲取環境溫度，獲取連接于所述被測MOS器件的阻性器件在所述環境溫度下的第一阻值； 獲取所述被測MOS器件的導通電阻-溫度曲線，通過所述導通電阻-溫度曲線確定所述被測MOS器件在所述第一溫度下的第二阻值； 采用所述第一溫度、環境溫度，通過所述導通電阻-溫度曲線確定阻性器件溫升系數； 通過所述第一阻值以及所述阻性器件溫升系數確定所述阻性器件在所述第一溫度下的第三阻值； 獲取所述被測MOS器件的測試電流，采用所述測試電流、第二阻值以及第三阻值確定測試功率； 通過所述測試功率、第一溫度以及環境溫度確定所述被測MOS器件的熱阻； 確定所述阻性器件溫升系數采用的公式為： 式中，KT表示阻性器件溫升系數，Rds1表示第一溫度下的被測MOS器件的導通電阻，Rds2環境溫度下被測MOS器件的導通電阻，T1表示第一溫度，T2表示第二溫度。

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