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龍圖騰網獲悉蘇州美圖半導體技術有限公司申請的專利晶圓級堿金屬氣室的制備方法及裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116101972B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211697146.7，技術領域涉及：B81C3/00；該發明授權晶圓級堿金屬氣室的制備方法及裝置是由王云翔設計研發完成，并于2022-12-28向國家知識產權局提交的專利申請。

本晶圓級堿金屬氣室的制備方法及裝置在說明書摘要公布了：本發明涉及一種晶圓級堿金屬氣室的制備方法及裝置。其包括制備預氣室晶圓單元，將堿金屬沉積在正對應的氣室孔槽內，且在氣室孔槽內沉積所需的堿金屬后，將預氣室晶圓單元冷卻至常溫；提供氣室封裝晶圓，并將所述氣室封裝晶圓與上述冷卻至常溫的預氣室晶圓單元進行低溫預鍵合，以在低溫預鍵合后，利用氣室封裝晶圓封閉預氣室晶圓單元內的氣室孔槽；對上述低溫與鍵合的氣室封裝晶圓與預氣室晶圓單元進行高溫陽極鍵合，其中，高溫陽極鍵合時，鍵合氣壓處于分子泵本底真空狀態。本發明能有效實現堿金屬氣室的制備，避免了堿金屬因高溫而產生逃逸，同時保證了鍵合強度，提高了所制備堿金屬氣室的可靠性。

本發明授權晶圓級堿金屬氣室的制備方法及裝置在權利要求書中公布了：1.一種晶圓級堿金屬氣室的制備方法，其特征是，所述制備方法包括： 制備預氣室晶圓單元，其中，所述預氣室晶圓單元包括若干用于收納堿金屬的氣室孔槽4； 將上述制備的預氣室晶圓單元與一用于產生堿金屬蒸汽的堿金屬蒸發裝置正對準，其中，所述堿金屬蒸發裝置包括具有若干反應池槽16的堿金屬反應池11，預氣室晶圓單元內的氣室孔槽4與堿金屬反應池11的反應池槽16呈一一正對準，以使得一氣室孔槽4與正對應的反應池槽16形成一堿金屬給予通道； 對預置于反應池槽16內的堿金屬物質加熱蒸發，以在加熱蒸發后，利用上述的堿金屬給予通道將堿金屬沉積在正對應的氣室孔槽4內，且在氣室孔槽4內沉積所需的堿金屬后，將預氣室晶圓單元冷卻至常溫； 提供氣室封裝晶圓8，并將所述氣室封裝晶圓8與上述冷卻至常溫的預氣室晶圓單元進行低溫預鍵合，以在低溫預鍵合后，利用氣室封裝晶圓8封閉預氣室晶圓單元內的氣室孔槽4； 對上述低溫與鍵合的氣室封裝晶圓8與預氣室晶圓單元進行高溫陽極鍵合，其中，高溫陽極鍵合時，鍵合氣壓處于分子泵本底真空狀態。

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